[发明专利]氮化硅加热片及其制造方法有效
申请号: | 201210047169.3 | 申请日: | 2012-02-28 |
公开(公告)号: | CN102595665A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 孟丽丽 | 申请(专利权)人: | 威海兴泰金属制造有限公司 |
主分类号: | H05B3/10 | 分类号: | H05B3/10;C04B35/584;C04B35/622 |
代理公司: | 威海科星专利事务所 37202 | 代理人: | 于涛 |
地址: | 264200 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化 加热 及其 制造 方法 | ||
1.一种氮化硅加热片,包括本体和位于本体内的加热体,本体由氮化硅粉烧制而成,其特征在于加热体由发热区和位于加热体末端的用于焊接引线的不发热区组成,发热区由碳化钛TiC粉,碳化钽TaC粉,氧化铝Al2O3粉,氧化锆ZrO2粉,氧化钇Y2O3粉,碳化钨WC粉,镍Ni粉,铬Cr粉,氮化硅Si3N4粉混合烧制而成。
2.根据权利要求1所述的一种氮化硅加热片,其特征在于所述加热体的发热区的各组分的配比为:碳化钛TiC粉10%,碳化钽TaC粉10%,氧化铝Al2O3粉5%,氧化锆ZrO2粉5%,氧化钇Y2O3粉5%,碳化钨WC粉5%,镍Ni粉5%,铬Cr粉3%,氮化硅Si3N4粉42%。
3.根据权利要求1所述的一种氮化硅加热片,其特征在于所述加热体的不发热区由镍Ni粉、碳化钛TiC粉、铬Cr粉、钼Mo粉和氮化硅Si3N4粉混合烧制而成。
4.根据权利要求3所述的一种氮化硅加热片,其特征在于所述加热体的不发热区的各组分配比为镍Ni粉20%、碳化钛TiC粉10%、铬Cr粉20%、钼Mo粉20%和氮化硅Si3N4粉30%。
5. 一种如权利要求1所述氮化硅加热片的制造方法,其步骤依次为制粉工艺、制坯工艺、烧结工艺、打磨工艺、焊接工艺以及成品检测,其特征在于所述制坯工艺包括如下步骤:在计算出本体长度、加热体粉料厚度,并制作相应的模具后,先分别制成加热体中发热区和不发热区的粉料坯,其中加工压力均为2MPa,然后制作出上、下两片Si3N4粉料坯,加工压力为10 MPa,最后将上述三种粉料坯套压成毛坯块,套压过程中压力为100 MPa,获得毛坯。
6.根据权利要求5所述的氮化硅加热片的制造方法,其特征在于所述烧结工艺是指将制坯工艺获得的毛坯置于热压震荡烧结炉中,使毛坯在1850℃、振荡频率为5Hz、振幅200Kg-500Kg、总压力300Kg/cm2的条件下,烧结制得半成品。
7.根据权利要求5所述的氮化硅加热片的制造方法,其特征在于所述焊接工艺是指在打磨之后加热片的引线端用CVD工艺溅射Ti离子后,再用CVD工艺在Ti离子层上溅射Ni离子,然后向引线端电镀Ni层,Ni层厚度为0.2 μm,最后在氢气炉内向引线端焊接引线,获得成品。
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