[发明专利]一种T型栅的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210046607.4 申请日: 2012-02-27
公开(公告)号: CN102569054A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 刘果果;魏珂;黄俊;刘新宇 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28
代理公司: 北京市德权律师事务所 11302 代理人: 刘丽君
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种T型栅的制备方法,属于微电子元器件技术领域。该方法包括在器件衬底外延层表面形成电子束光刻胶层,使电子束光刻胶层形成细栅线条,一体形成栅金属层,形成光学光刻胶层,光刻出栅帽,腐蚀栅金属层,将残留的电子束光刻胶和光学光刻胶剥离七个步骤,从而在外延层上形成T型栅。该方法不仅能够有效降低T型栅的尺寸、提高T型栅制作的效率,还能提高T型栅的成品率以及一致性。
搜索关键词: 一种 制备 方法
【主权项】:
一种T型栅的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:在器件衬底外延层上匀电子束光刻胶,形成电子束光刻胶层;对所述电子束光刻胶进行曝光、显影和定影,使所述电子束光刻胶层形成细栅线条,在形成所述细栅线条的区域,所述外延层表面露出;向所述电子束光刻胶表面和露出的外延层表面蒸发栅金属,使所述栅金属填满所述细栅线条区域,并且在所述电子束光刻胶层表面和被栅金属填满的细栅线条区域表面一体形成栅金属层;在所述栅金属层表面匀光学光刻胶,形成光学光刻胶层;应用光刻版,在所述光学光刻胶层光刻出栅帽;对所述栅金属层进行腐蚀,除去被所述栅帽覆盖的区域之外的栅金属;将残留的电子束光刻胶和光学光刻胶剥离,即在所述外延层上形成了T型栅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210046607.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top