[发明专利]一种T型栅的制备方法无效
| 申请号： | 201210046607.4 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN102569054A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 刘果果;魏珂;黄俊;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 方法 | ||
1.一种T型栅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在器件衬底外延层上匀电子束光刻胶，形成电子束光刻胶层；
对所述电子束光刻胶进行曝光、显影和定影，使所述电子束光刻胶层形成细栅线条，在形成所述细栅线条的区域，所述外延层表面露出；
向所述电子束光刻胶表面和露出的外延层表面蒸发栅金属，使所述栅金属填满所述细栅线条区域，并且在所述电子束光刻胶层表面和被栅金属填满的细栅线条区域表面一体形成栅金属层；
在所述栅金属层表面匀光学光刻胶，形成光学光刻胶层；
应用光刻版，在所述光学光刻胶层光刻出栅帽；
对所述栅金属层进行腐蚀，除去被所述栅帽覆盖的区域之外的栅金属；
将残留的电子束光刻胶和光学光刻胶剥离，即在所述外延层上形成了T型栅。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子束光刻胶为ZEP520，所述ZEP520层的厚度为
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述匀电子束光刻胶过程中，使用180℃热板真空加热3分钟。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述电子束光刻胶进行曝光是采用电子束实现的，所述细栅线条的宽度为50nm～100nm。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，对所述电子束光刻胶进行显影是采用显影液ZED-N50实现的，显影时间为90s。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，对所述电子束光刻胶进行定影是采用定影液ZMD-D实现的，定影时间为15s。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅金属层的组分为Ni/Au，厚度为
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻版为阳版图形，所述栅帽的宽度为0.5μm。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，对所述栅金属层进行腐蚀包括以下步骤：
采用腐蚀液I2∶KI∶H2O＝1∶4∶40，历时3min，对Au进行腐蚀；
采用腐蚀液H2SO4∶H2O2∶H2O＝3∶1∶4，历时30s，对Ni进行腐蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
