[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201210046556.5 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN102779801A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 金基永 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：第一结构体，具有第一电极焊盘；第二结构体，以面朝上的方式设置在第一结构体上方以露出第一电极焊盘，并且具有第一连接构件，该第一连接构件具有至少两个突起；以及第三结构体，以面朝下的方式设置在第二结构体上方，并且具有第二连接构件，该第二连接构件在其面向第二结构体的表面上具有至少两个突起，其中第二连接构件的一些突起与露出的第一电极焊盘电连接，并且第二连接构件的剩余突起中的至少一个与第一连接构件电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：第一结构体，具有第一电极焊盘；第二结构体，以面朝上的方式设置在所述第一结构体上方以露出所述第一电极焊盘，并且包括第一连接构件，所述第一连接构件具有至少两个突起；以及第三结构体，以面朝下的方式设置在所述第二结构体上方，并且包括第二连接构件，所述第二连接构件在其面向所述第二结构体的表面上具有至少两个突起，其中所述第二连接构件的一些突起与露出的第一电极焊盘电连接，并且所述第二连接构件的剩余突起中的至少一个与所述第一连接构件电连接。
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