[发明专利]一种基于标准CMOS工艺的叠层差分光电探测器有效
| 申请号： | 201210045150.5 | 申请日： | 2012-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN102593132A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 毛陆虹;康玉琢;肖新东;张世林;谢生 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 程毓英 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于硅基光接收机技术领域，涉及一种基于标准CMOS工艺叠层差分双光电探测器，包括：呈垂直分布的MSM型光电探测器、双光电二极管型光电探测器以及位于两者之间的隔离层，其中，双光电二极管型光电探测器制作在硅衬底PSUB上，使用P+/N阱结作为工作二极管，N阱/Psub结作为屏蔽二极管，位于下方，其阴极P+与阳极N+相间分布，每两个阳极N+间的阴极P+数量为3～4个；MSM型光电探测器制作在低掺杂多晶硅层POLY1上，位于上方。本发明提供的光电探测器，能够由一路输入光信号得到两路相互隔离的光电流信号；提高光注入效率；使基于标准CMOS工艺的光接收机在保证带宽和频率特性的情况下获得足够的响应度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 标准 cmos 工艺 叠层差分 光电 探测器 | ||
【主权项】：
一种基于标准CMOS工艺叠层差分双光电探测器，包括：呈垂直分布的MSM型光电探测器、双光电二极管型光电探测器以及位于两者之间的隔离层，其中，双光电二极管型光电探测器制作在硅衬底PSUB上，使用P+/N阱结作为工作二极管，N阱/Psub结作为屏蔽二极管，位于下方，其阴极P+与阳极N+相间分布，每两个阳极N+间的阴极P+数量为3～4个；MSM型光电探测器制作在低掺杂多晶硅层POLY1上，位于上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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