[发明专利]半导体器件及其制造方法以及电源装置有效
| 申请号： | 201210044579.2 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102651394A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 鎌田阳一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/49;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法以及电源装置。一种半导体器件，包括：设置在栅电极3和栅极绝缘膜2之间或者设置在含Al欧姆电极4和5与Au互连9之间并且在栅电极3之下和含Al欧姆电极4和5之上的电极材料扩散抑制层6，电极材料扩散抑制层6具有其中依次堆叠第一TaN层6A、Ta层6B和第二TaN层6C的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 以及 电源 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：栅电极；栅极绝缘膜；和设置在所述栅电极和所述栅极绝缘膜之间的包括依次堆叠的第一TaN层、Ta层和第二TaN层的电极材料扩散抑制层。
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