[发明专利]半导体器件及其制造方法以及电源装置

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

栅电极；

栅极绝缘膜；和

设置在所述栅电极和所述栅极绝缘膜之间的包括依次堆叠的第一TaN层、Ta层和第二TaN层的电极材料扩散抑制层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅电极包括至少一层，所述至少一层包括选自Pt、Ir、W、Ni、Ti、Au、Cu、Ag、Pd、Zn、Cr、Al、Mn、Ta、Si、TaN、TiN、Ru、CoSi、WSi、NiSi、MoSi、TiSi、AlSi、AlCu和AlSiCu中的任意材料。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述栅极绝缘膜包括至少一层，所述至少一层包括选自AlO、SiN、SiO、HfO和AlN中的任意材料。

4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，还包括：设置在所述栅电极和所述电极材料扩散抑制层之间、以及在所述栅极绝缘膜和所述电极材料扩散抑制层之间的至少之一处的层，所述层包括至少一层，所述至少一层包括选自Pt、Ir、W、Ni、Ti、Au、Cu、Ag、Pd、Zn、Cr、Al、Mn、Ta、Si、TaN、TiN、Ru、CoSi、WSi、NiSi、MoSi、TiSi、AlSi、AlCu和AlSiCu中的任意材料。

5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，还包括：包括载流子传输层和载流子供给层的氮化物半导体堆叠结构，

其中所述栅极绝缘膜设置在所述氮化物半导体堆叠结构上。

6.一种半导体器件，包括：

包括Al层的欧姆电极；

Au互连；和

设置在所述Al层和所述Au互连之间的包括依次堆叠的第一TaN层、Ta层和第二TaN层的电极材料扩散抑制层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：设置在所述Au互连和所述电极材料扩散抑制层之间、以及在所述Al层和所述电极材料扩散抑制层之间的至少之一处的层，所述层包括至少一层，所述至少一层包括选自Pt、Ir、W、Ni、Ti、Au、Cu、Ag、Pd、Zn、Cr、Al、Mn、Ta、Si、TaN、TiN、Ru、CoSi、WSi、NiSi、MoSi、TiSi、AlSi、AlCu和AlSiCu中的任意材料。

8.根据权利要求1、2、6、7中任一项所述的半导体器件，其中所述电极材料扩散抑制层还包括在所述第二TaN层上堆叠的Pt层。

9.根据权利要求1、2、6、7中任一项所述的半导体器件，其中所述电极材料扩散抑制层还包括在所述第二TaN层上堆叠的Ag层。

10.根据权利要求1、2、6、7中任一项所述的半导体器件，其中所述电极材料扩散抑制层还包括在所述第二TaN层上堆叠的Ti层。

11.根据权利要求1、2、6、7中任一项所述的半导体器件，其中所述电极材料扩散抑制层还包括在所述第二TaN层上堆叠的Cu层。

12.根据权利要求1、2、6、7中任一项所述的半导体器件，其中所述第一和第二TaN层的氮含量大于48％但是不大于52％。

13.一种半导体器件，包括：

设置在栅电极下的包括依次堆叠的TaN层、Ta层和TaN层的第一电极材料扩散抑制层；和

设置在欧姆电极上的包括依次堆叠的TaN层、Ta层和TaN层的第二电极材料扩散抑制层。

14.一种电源装置，包括：

半导体器件，包括：

栅电极；

栅极绝缘膜；和

设置在所述栅电极和所述栅极绝缘膜之间的包括依次堆叠的第一TaN层、Ta层和第二TaN层的电极材料扩散抑制层。

15.一种电源装置，包括：

半导体器件，包括：

包括Al层的欧姆电极；

Au互连；和

设置在所述Al层和所述Au互连之间的包括依次堆叠的第一TaN层、Ta层和第二TaN层的电极材料扩散抑制层。

16.一种电源装置，包括：

半导体器件，包括：

设置在栅电极下的包括依次堆叠的TaN层、Ta层和TaN层的第一电极材料扩散抑制层；和

设置在欧姆电极上的包括依次堆叠的TaN层、Ta层和TaN层的第二电极材料扩散抑制层。