[发明专利]二维直印式无掩膜等离子体刻蚀阵列装置无效
| 申请号： | 201210044026.7 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102556955A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 孟令国;邢建平;蒋然;张锡健 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王绪银 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 二维直印式无掩膜等离子体刻蚀阵列装置，属于微细加工工艺装置领域。装置由绝缘衬底、列电极、介质层、公共电极与扫描电极组成；在绝缘衬底设置平行的列电极，列电极上覆盖绝缘介质层，绝缘介质层上设置公共电极与扫描电极，公共电极与扫描电极相互平行，并与列电极的排列方向互相垂直；公共电极与扫描电极均呈S型，相邻的公共电极与扫描电极形成狭缝与微腔，公共电极与扫描电极相互间隔分布形成二维微腔阵列；制备方法采用薄膜或厚膜工艺逐层制作而成；本发明通过各电极之间的互相配合直接产生光刻图案既克服了微细加工中光刻掩模版的高成本，同时又克服了扫描式无掩模光刻的低效率。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 直印式无掩膜 等离子体 刻蚀 阵列 装置 | ||
【主权项】：
一种二维直印式无掩膜等离子体刻蚀阵列装置，由绝缘衬底、若干个列电极、介质层、若干个公共电极与若干个扫描电极组成，其特征在于：绝缘衬底位于该装置的最底部，列电极设置在绝缘衬底上，列电极上覆盖绝缘介质层，绝缘介质层上设置公共电极与扫描电极，公共电极与扫描电极相互平行，并且间隔分布，同时与列电极的排列方向互相垂直；公共电极的所有电极连接到引线电极上引出，每一根扫描电极分别引出；公共电极与扫描电极的形状均呈S型，相邻的公共电极与扫描电极之间形成狭缝和微腔，公共电极与扫描电极相互间隔分布形成二维微腔阵列；列电极之间的间距与两列微腔中心之间的间距相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学，未经山东大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210044026.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
