[发明专利]二维直印式无掩膜等离子体刻蚀阵列装置

权利要求书

1.一种二维直印式无掩膜等离子体刻蚀阵列装置，由绝缘衬底、若干个列电极、介质层、若干个公共电极与若干个扫描电极组成，其特征在于：绝缘衬底位于该装置的最底部，列电极设置在绝缘衬底上，列电极上覆盖绝缘介质层，绝缘介质层上设置公共电极与扫描电极，公共电极与扫描电极相互平行，并且间隔分布，同时与列电极的排列方向互相垂直；公共电极的所有电极连接到引线电极上引出，每一根扫描电极分别引出；公共电极与扫描电极的形状均呈S型，相邻的公共电极与扫描电极之间形成狭缝和微腔，公共电极与扫描电极相互间隔分布形成二维微腔阵列；列电极之间的间距与两列微腔中心之间的间距相同。

2.根据权利要求1所述的二维直印式无掩膜等离子体刻蚀阵列装置，其特征在于：所述的微腔的尺寸从1微米至几个毫米，狭缝的尺寸从0至几个毫米。

3.根据权利要求1所述的二维直印式无掩膜等离子体刻蚀阵列装置，其特征在于：所述的狭缝的尺寸小于微腔尺寸的三分之一。

4.根据权利要求1所述的二维直印式无掩膜等离子体刻蚀阵列装置，其特征在于：所述的列电极由上方或下方单侧引出，或按照奇偶数分别从上下两侧间隔引出。

5.根据权利要求1所述的二维直印式无掩膜等离子体刻蚀阵列装置，其特征在于：所述的公共电极与扫描电极表面同时覆盖绝缘介质层，或只在扫描电极表面覆盖绝缘介质层。

6.根据权利要求1所述的二维直印式无掩膜等离子体刻蚀阵列装置，其特征在于：所述的公共电极相互连接在一起引出或每一根电极分别引出。

7.根据权利要求1所述的二维直印式无掩膜等离子体刻蚀阵列装置，其特征在于：所述的列电极、公共电极与扫描电极由金属或透明导电材料组成。

8.根据权利要求1所述的二维直印式无掩膜等离子体刻蚀阵列装置，其特征在于：所述的二维微腔阵列上面不覆盖或者覆盖玻璃或阳极板。

9.一种权利要求1所述二维直印式无掩膜等离子体刻蚀阵列装置的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)首先选择绝缘衬底；

(2)采用薄膜或厚膜工艺在绝缘衬底上制作相互平行的条状列电极，列电极之间间隔相同；

(3)在列电极上采用薄膜或厚膜工艺覆盖绝缘介质层；

(4)在绝缘介质层上覆盖一层厚度大于微腔宽度五分之一的导电金属层，然后采用垂直光刻工艺制作公共电极与扫描电极；公共电极与扫描电极相互平行、间隔分布，彼此绝缘；

(5)在公共电极与扫描电极表面同时覆盖绝缘介质层，或只在扫描电极表面覆盖绝缘介质层。