[发明专利]用后期鳍片蚀刻形成于图案化STI区上的鳍式管

摘要

本发明涉及用后期鳍片蚀刻形成于图案化STI区上的鳍式管。在形成精密半导体装置时，通过在早期制造阶段(亦即，在形成浅沟槽隔离时)形成半导体鳍片，可基于取代栅极法及自对准接触组件来形成与平面型晶体管结合的三维晶体管，其中在装设自对准接触组件后以及在取代栅极法期间，可调整该半导体鳍片的最终电性有效高度。

主权项

一种方法，包含下列步骤：在半导体装置的半导体区中形成多个隔离区，该多个隔离区在该半导体区中横向划定多个鳍片；在该半导体区上方形成占位栅电极结构，该占位栅电极结构覆盖该多个隔离区及鳍片中的每一者的中央部份；在该占位栅电极结构存在的情形下，在该多个鳍片中的每一者中形成漏极和源极区；移除该占位材料以便暴露该多个隔离区及鳍片的该中央部份；在该多个隔离区的该中央部份中选择性地形成凹处以便调整该鳍片的该中央部份的电性有效高度；以及在该凹处中以及在该鳍片的该中央部份的上方形成栅极介电材料及电极材料。