[发明专利]一种二氧化锡基压敏电阻材料及制备方法无效
| 申请号： | 201210041132.X | 申请日： | 2012-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102643086A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 彭志坚;贺剑锋;王成彪;付志强;岳文 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（北京） |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型二氧化锡基压敏电阻材料及制备方法，属于电子陶瓷制备及应用技术领域。本发明提供此种材料的组分及含量，包括主相SnO270～99.95mol％，非线性形成氧化物Ta2O50.01～8mol％，非线性增强剂ZnO、TiO2各0.02～10mol％，并含有CoO、Cr2O3、Fe2O3、CuO、MnO、NiO中的一种或者多种添加剂0～2mol％。所述材料制备方法依次包括“混料、高能球磨、烘干、预烧、研磨、过筛、模压成型、烧结和被银”工艺步骤。用上述材料和制备方法所制得的压敏电阻片，其电位梯度E(电流密度为1mA/cm2时对应的电位梯度值)为400～1200V/mm，非线性系数α[根据公式α＝1/log(E10mA/E1mA)计算]为10～40，漏电流IL(75％E所对应的电流密度值)为10～100μA/cm2，综合性能优良。可用于手机、家用电器以及高压避雷器等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 压敏电阻 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高性能二氧化锡基压敏电阻材料，其特征在于，以SnO2为主相，采用Ta2O5为非线性形成氧化物，ZnO、TiO2为非线性增强剂，并含有CoO、Cr2O3、Fe2O3、CuO、MnO、NiO中的一种或者多种添加剂，经混合烧结而成；所述主相SnO2摩尔百分含量为70～99.95％，非线性形成氧化物Ta2O5的摩尔百分含量为0.01～8％，非线性增强剂ZnO、TiO2的摩尔百分含量分别为0.02～10％，其他添加剂的摩尔百分含量为0～2％。
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