[发明专利]一种二氧化锡基压敏电阻材料及制备方法无效

专利信息
申请号: 201210041132.X 申请日: 2012-02-22
公开(公告)号: CN102643086A 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 彭志坚;贺剑锋;王成彪;付志强;岳文 申请(专利权)人: 中国地质大学(北京)
主分类号: C04B35/457 分类号: C04B35/457;C04B35/622
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化 压敏电阻 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高性能二氧化锡基压敏电阻材料,其特征在于,以SnO2为主相,采用Ta2O5为非线性形成氧化物,ZnO、TiO2为非线性增强剂,并含有CoO、Cr2O3、Fe2O3、CuO、MnO、NiO中的一种或者多种添加剂,经混合烧结而成;所述主相SnO2摩尔百分含量为70~99.95%,非线性形成氧化物Ta2O5的摩尔百分含量为0.01~8%,非线性增强剂ZnO、TiO2的摩尔百分含量分别为0.02~10%,其他添加剂的摩尔百分含量为0~2%。

2.按照权利要求1所述的高性能二氧化锡基压敏电阻材料的制备方法,其特征在于,所述材料制备方法依次包括“混料、高能球磨、烘干、预烧、研磨、过筛、模压成型、烧结和被银”工艺步骤;所述陶瓷粉料在进行混料时,配料中同时加入质量分数分别为0~10%的分散剂和粘结剂;所述高能球磨中,混合粉末∶氧化锆磨球∶去离子水质量比为1∶(2~10)∶(2~5),球磨24~72小时;所述烘干采用烘箱,温度100~150℃,时间24~72小时;所述预烧中,温度450~850℃,时间1~4小时;所述研磨和过筛后,粉料晶粒小于0.1μm,团聚体小于0.15mm;所述烧结在电炉中和空气全循环环境下进行,升温速度1~5℃/min,300~550℃保温排胶1~6小时,在最高温度1100~1500℃下保温1~5小时,然后随炉冷却。

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