[发明专利]在半导体光学器件的端面上形成涂布膜的方法有效
| 申请号： | 201210040857.7 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102646924A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 大西裕 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;龙涛峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在半导体光学器件的端面上形成涂布膜的方法。该方法包括下述步骤：通过在基板的主表面上形成多层半导体结构来制备外延晶片；在多层半导体结构上形成条状电极和焊盘，条状电极的纵向沿着第一方向延伸并且条状电极沿着与第一方向垂直的第二方向排列，焊盘分别与条状电极电连接；在多层半导体结构上形成凸出部分；通过沿着第二方向切割外延晶片来形成激光二极管(LD)线阵；将LD线阵排列在支撑表面上以便LD线阵的侧表面朝向该支撑表面的法向，并且将间隔物设置在LD线阵之间；以及在LD线阵的侧表面上形成涂布膜。凸出部分与基板的主表面相距的高度大于条状电极的高度。此外，激光二极管线阵具有至少一个凸出部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光学 器件 端面 形成 涂布膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在半导体光学器件的端面上形成涂布膜的方法，包括下述步骤：通过在基板的主表面上形成包括活性层的多层半导体结构来制备外延晶片；在所述外延晶片的所述多层半导体结构上形成多个条状电极和多个焊盘，所述条状电极的纵向沿着第一方向延伸并且所述条状电极沿着与所述第一方向垂直的第二方向排列，所述焊盘分别与所述条状电极电连接；在所述外延晶片的所述多层半导体结构上形成凸出部分；通过沿着所述第二方向切割所述外延晶片来形成多个激光二极管线阵；将所述激光二极管线阵排列在支撑表面上以便所述激光二极管线阵的侧表面朝向所述支撑表面的法向，并且将间隔物设置在所述激光二极管线阵之间；以及在所述激光二极管线阵的侧表面上形成涂布膜，其中，所述凸出部分的从所述基板的主表面起算的高度大于所述条状电极的高度，并且所述激光二极管线阵具有至少一个所述凸出部分。
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