[发明专利]在半导体光学器件的端面上形成涂布膜的方法

权利要求书

1.一种在半导体光学器件的端面上形成涂布膜的方法，包括下述步骤：

通过在基板的主表面上形成包括活性层的多层半导体结构来制备外延晶片；

在所述外延晶片的所述多层半导体结构上形成多个条状电极和多个焊盘，所述条状电极的纵向沿着第一方向延伸并且所述条状电极沿着与所述第一方向垂直的第二方向排列，所述焊盘分别与所述条状电极电连接；

在所述外延晶片的所述多层半导体结构上形成凸出部分；

通过沿着所述第二方向切割所述外延晶片来形成多个激光二极管线阵；

将所述激光二极管线阵排列在支撑表面上以便所述激光二极管线阵的侧表面朝向所述支撑表面的法向，并且将间隔物设置在所述激光二极管线阵之间；以及

在所述激光二极管线阵的侧表面上形成涂布膜，

其中，所述凸出部分的从所述基板的主表面起算的高度大于所述条状电极的高度，并且

所述激光二极管线阵具有至少一个所述凸出部分。

2.根据权利要求1所述的在半导体光学器件的端面上形成涂布膜的方法，其中，

所述凸出部分与所述焊盘同时形成，并且

所述凸出部分和所述焊盘由同一种金属材料构成。

3.根据权利要求1所述的在半导体光学器件的端面上形成涂布膜的方法，其中，

制备所述外延晶片的步骤包括在所述多层半导体结构上形成绝缘膜，并且

通过蚀刻所述多层半导体结构上的所述绝缘膜的一部分来形成所述凸出部分。

4.根据权利要求1所述的在半导体光学器件的端面上形成涂布膜的方法，其中，

所述凸出部分的从所述基板的主表面起算的高度小于或等于所述焊盘的从所述主表面起算的高度。

5.根据权利要求1所述的在半导体光学器件的端面上形成涂布膜的方法，其中，

所述凸出部分与所述激光二极管线阵的侧表面相距的距离小于所述激光二极管线阵的侧表面和所述焊盘之间的距离。

6.根据权利要求1所述的在半导体光学器件的端面上形成涂布膜的方法，还包括：

在所述基板的背面中形成沿着所述第二方向延伸的凹槽，

其中，形成所述激光二极管线阵的步骤包括沿着所述凹槽将所述外延晶片切割成小块。

7.根据权利要求6所述的在半导体光学器件的端面上形成涂布膜的方法，其中，

所述凹槽的深度为30μm或更小。

8.根据权利要求6所述的在半导体光学器件的端面上形成涂布膜的方法，其中，

所述凸出部分与所述激光二极管线阵的侧表面相距的距离大致等于所述激光二极管线阵的侧表面和所述凹槽的侧壁之间的距离。

9.根据权利要求1所述的在半导体光学器件的端面上形成涂布膜的方法，其中，

所述激光二极管线阵在与所述第二方向垂直的方向上的宽度小于或等于200μm。