[发明专利]由多种油墨形成光电传导器件的工艺无效
申请号: | 201210040514.0 | 申请日: | 2008-12-05 |
公开(公告)号: | CN102569526A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | M·J·汉姆普登-史密斯;M·H·考沃尔斯基 | 申请(专利权)人: | 卡伯特公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李帆 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 光电传导器件和用于形成光电传导器件的工艺被描述。所述工艺包括(a)提供基底,该基底包括布置在硅层上的钝化层;(b)将表面改性材料沉积到钝化层的至少一部分上;(c)将包括至少一种金属纳米颗粒的组合物沉积到基底的至少一部分上,该至少一种金属纳米颗粒包括金属或该金属的金属前体;以及(d)加热组合物以使得该组合物形成与硅层电接触的光电传导器件的至少一部分,其中组合物或表面改性材料中的至少一种蚀刻钝化层的区域。当表面改性材料为紫外线可固化材料时,该工艺包括固化紫外线可固化材料的另外的步骤。 | ||
搜索关键词: | 多种 油墨 形成 光电 传导 器件 工艺 | ||
【主权项】:
一种形成光电传导器件的方法,该方法包括:提供基底,该基底包括布置在硅层上的钝化层;将包括盐的表面改性材料沉积到钝化层的至少一部分上;将包括金属纳米颗粒的组合物沉积到基底的至少一部分上,其中所述盐使金属纳米颗粒絮凝;和加热组合物以使得该组合物形成与硅层电接触的光电传导器件的至少一部分,其中组合物或表面改性材料中的至少一种蚀刻钝化层的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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