[发明专利]半导体元件的制作方法无效

专利信息
申请号: 201210036091.5 申请日: 2012-02-15
公开(公告)号: CN103021861A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 章正欣;陈逸男;刘献文 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L21/8238
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;邢雪红
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种半导体元件的制作方法,包括:提供一基底;形成一栅极介电层于基底上;形成一栅电极于栅极介电层上;形成一间隔件于栅极介电层和栅电极的侧壁;使用包括多个灯源和一偏压施加系统的快速热工艺装置掺杂基底,形成一源极/漏极区,其中在快速热工艺装置中,上述灯源照射气态掺杂物,使气态掺杂物激发成掺杂离子,且掺杂离子是受到偏压施加系统施加的偏压产生移动,掺杂入基底中。本发明可形成非常浅的源极/漏极区,可用于深次微米半导体工艺;还可在同一快速热工艺室中进行掺杂步骤和退火步骤,使得基底晶格损坏减少,或完全没有产生基底晶格损坏。
搜索关键词: 半导体 元件 制作方法
【主权项】:
一种半导体元件的制作方法,其特征在于,包括:提供一基底;形成一栅极介电层于该基底上;形成一栅电极于该栅极介电层上;形成一间隔件于该栅极介电层和该栅电极的侧壁;使用包括多个灯源和一偏压施加系统的快速热工艺装置掺杂该基底,形成一源极/漏极区,在该快速热工艺装置中,所述多个灯源照射气态掺杂物,使气态掺杂物激发成掺杂离子,且掺杂离子受到该偏压施加系统施加的偏压产生移动,掺杂入该基底中。
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