[发明专利]半导体元件的制作方法无效
申请号: | 201210036091.5 | 申请日: | 2012-02-15 |
公开(公告)号: | CN103021861A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 章正欣;陈逸男;刘献文 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/8238 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;邢雪红 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体元件的制作方法,包括:提供一基底;形成一栅极介电层于基底上;形成一栅电极于栅极介电层上;形成一间隔件于栅极介电层和栅电极的侧壁;使用包括多个灯源和一偏压施加系统的快速热工艺装置掺杂基底,形成一源极/漏极区,其中在快速热工艺装置中,上述灯源照射气态掺杂物,使气态掺杂物激发成掺杂离子,且掺杂离子是受到偏压施加系统施加的偏压产生移动,掺杂入基底中。本发明可形成非常浅的源极/漏极区,可用于深次微米半导体工艺;还可在同一快速热工艺室中进行掺杂步骤和退火步骤,使得基底晶格损坏减少,或完全没有产生基底晶格损坏。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 制作方法 | ||
【主权项】:
一种半导体元件的制作方法,其特征在于,包括:提供一基底;形成一栅极介电层于该基底上;形成一栅电极于该栅极介电层上;形成一间隔件于该栅极介电层和该栅电极的侧壁;使用包括多个灯源和一偏压施加系统的快速热工艺装置掺杂该基底,形成一源极/漏极区,在该快速热工艺装置中,所述多个灯源照射气态掺杂物,使气态掺杂物激发成掺杂离子,且掺杂离子受到该偏压施加系统施加的偏压产生移动,掺杂入该基底中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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