[发明专利]钛合金表面稀土改性还原氧化石墨烯薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210034168.5 申请日: 2012-02-15
公开(公告)号: CN102534586A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 程先华;李鹏飞;王传英;疏达;程海正 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C23C20/06 分类号: C23C20/06;C01B31/04
代理公司: 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 代理人: 郑立
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种在钛合金基片表面制备稀土改性还原氧化石墨烯复合薄膜的方法。该方法包括如下步骤:首先,将清洗后的钛合金片在氢氧化钠水溶液中进行羟基化处理;其次,在其表面采用自组装法制备硅烷薄膜;然后,将钛合金基片放入稀土改性的氧化石墨烯分散液中,在其表面制备稀土改性氧化石墨烯复合薄膜;最后,加热还原氧化石墨烯薄膜,制备成稀土改性还原氧化石墨烯复合薄膜。本发明方法简单,成本低,对环境无污染,制得的还原氧化石墨烯复合薄膜界面结合牢固、摩擦系数低,具有较好的耐磨性能。
搜索关键词: 钛合金 表面 稀土 改性 还原 氧化 石墨 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种在钛合金片表面形成还原氧化石墨烯薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、室温下,将经过表面抛光处理的钛合金片放入氢氧化钠水溶液中浸泡;取出后清洗干净,烘干;步骤二、将处理后的钛合金片放入硅烷溶液中浸泡,取出后清洗,烘干;所述的硅烷溶液是指:首先,配置有机硅烷的乙醇溶液,常温下静待5至10min后加入与有机硅烷同体积的水;所述有机硅烷选自于氨丙基三乙氧基硅烷、(2‑巯基丙基)三甲氧基硅烷、2‑(3,4‑环氧环己烷基)乙基三甲氧基硅烷、2‑(3,4‑环氧环己烷基)乙基三乙氧基硅烷、3‑氨丙基甲基二乙氧基硅烷、1,2‑双(三甲氧基硅基)乙烷、1,2‑双(三乙氧基硅基)乙烷或其混合物;步骤三、室温下,将氧化石墨烯粉末浸入稀土改性剂中浸泡2~6h,过滤、烘干得到氧化石墨烯固体;研碎后放入DMF和水的混合溶剂中进行超声,得到稀土改性氧化石墨烯悬浮液;所述的稀土改性剂的组分重量百分比为:稀土化合物0.1~2%,N,N‑2‑甲基甲酰胺95~99.7%,乙二胺四乙酸0.05~0.5%,氯化铵0.1~1%,尿素0.03~1%;所述稀土化合物选自氯化镧、氯化铈、氧化镧或氧化铈;步骤四、将步骤二制得的钛合金片放入所述稀土改性氧化石墨烯悬浮中恒温水浴加热,取出后进行清洗、真空加热干燥,得到表面形成稀土改性还原氧化石墨烯复合薄膜的钛合金片。
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