[发明专利]具有嵌埋的低介电系数金属化的半导体器件有效
| 申请号： | 201210033914.9 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102646639A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | P·巴尔斯;T·施勒塞尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/768;H01L27/108;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种具有嵌埋的低介电系数金属化的半导体器件，以及揭露一种方法包含形成耦接至半导体器件的逻辑区域中的复数个逻辑器件的复数个铜金属化层，以及，在形成该复数个铜金属化层后，在该半导体器件的内存数组中形成复数个电容器。该电容器是使用非低介电系数介电材料加以形成，而该铜金属化层是形成在低介电系数介电材料(介电系数值小于3)层中。也揭露一种半导体器件包含复数个逻辑器件、包含复数个电容器的内存数组、耦接至该复数个电容器的导电接点板、以及耦接至该逻辑器件的复数个铜金属化层，其中，该复数个铜金属化层系位于低于该接点板的底表面的高度之高度处。除了低介电系数介电材料以外的材料是位于该内存数组中的该复数个电容器之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 低介电 系数 金属化 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种方法，包含：在半导体器件的逻辑区域及内存数组内形成复数个低介电系数介电层；在该复数个低介电系数介电层上方形成蚀刻停止层；在该半导体器件的该逻辑区域中形成导电地耦接至复数个逻辑器件的复数个铜金属化层，其中，该铜金属化层是位于该低介电系数介电层；以及在形成该复数个铜金属化层后，在该半导体器件的内存数组中形成复数个电容器，其中，形成该复数个电容器包含：在该内存数组上方的该区域中的该蚀刻停止层中形成复数个开口；以及在该蚀刻停止层中经由该开口实施至少一个蚀刻制程，以从该内存数组内移除该低介电系数介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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