[发明专利]光耦合器电路无效

专利信息
申请号: 201210032836.0 申请日: 2012-02-14
公开(公告)号: CN102646677A 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 杜桑·戈卢保维克;格哈德·库普斯;托尼·范胡克;罗布·范达伦 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L21/82;G02B6/42
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 一种促进片上电流隔离的光耦合器件。根据多个示例实施例,光耦合器电路包括:绝缘体上硅基底,具有在埋入绝缘体层上的硅层;在硅层中具有硅p-n结的硅基发光二极管(LED);和在硅层中的硅基光检测器。LED和光检测器分别连接到硅层中被电流隔离的电路。硅局部氧化(LOCOS)隔离材料和埋入绝缘体层将第一电路与第二电路电流隔离,以防止电荷载流子在第一和第二电路之间迁移。LED和光检测器进行光通信以在电流隔离的电路之间传递信号。
搜索关键词: 耦合器 电路
【主权项】:
一种集成光耦合器电路,包括:绝缘体上硅基底,具有在埋入绝缘体层上的硅层;位于硅层中的第一和第二电路,分别在彼此相差至少一个数量级的电压下工作;在硅层的一部分中的绝缘体,所述绝缘体与埋入绝缘体层配置为将第一电路与第二电路在电流上隔离开;以及光耦合器,包括:发送器电路,电连接到第一和第二电路中的一个,并配置为基于从所述第一和第二电路中的所述一个接收到的电信号传送光信号,和接收器电路,电连接到第一和第二电路中的另一个,配置为接收从所述发送器电路通信的光信号,并基于所接收的光信号将电信号通信到所述第一和第二电路中的另一个。
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