[发明专利]光耦合器电路无效
申请号: | 201210032836.0 | 申请日: | 2012-02-14 |
公开(公告)号: | CN102646677A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 杜桑·戈卢保维克;格哈德·库普斯;托尼·范胡克;罗布·范达伦 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/82;G02B6/42 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种促进片上电流隔离的光耦合器件。根据多个示例实施例,光耦合器电路包括:绝缘体上硅基底,具有在埋入绝缘体层上的硅层;在硅层中具有硅p-n结的硅基发光二极管(LED);和在硅层中的硅基光检测器。LED和光检测器分别连接到硅层中被电流隔离的电路。硅局部氧化(LOCOS)隔离材料和埋入绝缘体层将第一电路与第二电路电流隔离,以防止电荷载流子在第一和第二电路之间迁移。LED和光检测器进行光通信以在电流隔离的电路之间传递信号。 | ||
搜索关键词: | 耦合器 电路 | ||
【主权项】:
一种集成光耦合器电路,包括:绝缘体上硅基底,具有在埋入绝缘体层上的硅层;位于硅层中的第一和第二电路,分别在彼此相差至少一个数量级的电压下工作;在硅层的一部分中的绝缘体,所述绝缘体与埋入绝缘体层配置为将第一电路与第二电路在电流上隔离开;以及光耦合器,包括:发送器电路,电连接到第一和第二电路中的一个,并配置为基于从所述第一和第二电路中的所述一个接收到的电信号传送光信号,和接收器电路,电连接到第一和第二电路中的另一个,配置为接收从所述发送器电路通信的光信号,并基于所接收的光信号将电信号通信到所述第一和第二电路中的另一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的