[发明专利]一种适宜弱再生基因型甘薯茎尖培养植株再生的方法无效

专利信息
申请号: 201210032809.3 申请日: 2012-02-10
公开(公告)号: CN102524076A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 周志林;唐君;曹清河;赵冬兰;项彩云;孙书军 申请(专利权)人: 江苏徐州甘薯研究中心
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 徐州市三联专利事务所 32220 代理人: 周爱芳
地址: 221000*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种适宜弱再生基因型甘薯茎尖培养植株再生的方法,属甘薯组织培养改良技术。选取弱再生基因型甘薯品种心香作为试验材料,选取薯块催生嫩芽为试验材料,在显微镜下剥取茎尖接种于一次性诱导植株再生培养基;在32℃下暗培养4-8天;然后在温度28±1℃、光照10小时/天条件下培养;待芽分化后,将其在35℃暗培养;植株再生后转入常规MS基本培养基、正常光照条件下进行繁殖培养。有益的效果:通过这一再生方法,弱再生基因型甘薯可以一步诱导成苗,并且再生率获得显著提高,均超过80.0%;植株再生的时间大大缩短,普遍为20-30d天,植株长势好,生长速度快;该方法可操作性强、重复性好。
搜索关键词: 一种 适宜 再生 基因型 甘薯 培养 植株 方法
【主权项】:
一种适宜弱再生基因型甘薯茎尖培养植株再生的方法,其特征是:选取弱再生基因型甘薯品种心香为试验材料,选取薯块催生嫩芽为试验材料,在显微镜下剥取茎尖分生组织接种于一次性诱导植株再生培养基;茎尖分生组织接种于诱导培养基后,首先经过暗培养;然后,在温度28±1℃、光照10小时/天条件下培养;待芽分化后,将其转入光照培养箱,在暗培养条件下培养,促进植株再生及节间的伸长;然后将再生植株转入常规MS基本培养基、正常光照条件下进行繁殖培养;所述的一次性诱导植株再生培养基为:MS基本培养基+NAA0.1mg/L+6‑BA 2.0mg/L+TDZ 0.5mg/L+4‑FA 0.1mg/L+蔗糖30g/L+Phytagel2.5g/L,灭菌前调PH:5.8‑6.0。
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