[发明专利]一种适宜弱再生基因型甘薯茎尖培养植株再生的方法无效
| 申请号： | 201210032809.3 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102524076A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 周志林;唐君;曹清河;赵冬兰;项彩云;孙书军 | 申请（专利权）人： | 江苏徐州甘薯研究中心 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 徐州市三联专利事务所 32220 | 代理人： | 周爱芳 |
| 地址： | 221000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 适宜 再生 基因型 甘薯 培养 植株 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种适宜弱再生基因型甘薯茎尖培养植株再生的方法，其特征是：选取弱再生基因型甘薯品种心香为试验材料，选取薯块催生嫩芽为试验材料，在显微镜下剥取茎尖分生组织接种于一次性诱导植株再生培养基；茎尖分生组织接种于诱导培养基后，首先经过暗培养；然后，在温度28±1℃、光照10小时/天条件下培养；待芽分化后，将其转入光照培养箱，在暗培养条件下培养，促进植株再生及节间的伸长；然后将再生植株转入常规MS基本培养基、正常光照条件下进行繁殖培养；所述的一次性诱导植株再生培养基为：MS基本培养基+NAA0.1mg/L+6-BA 2.0mg/L+TDZ 0.5mg/L+4-FA 0.1mg/L+蔗糖30g/L+Phytagel2.5g/L，灭菌前调PH：5.8-6.0。
2.根据权利要求1所述的一种适宜弱再生基因型甘薯茎尖培养植株再生的方法，其特征是：接种于一次性诱导植株再生培养基的茎尖分生组织首先经过暗培养是在32℃、暗培养4-8天。
3.根据权利要求1所述的一种适宜弱再生基因型甘薯茎尖培养植株再生的方法，其特征是：所述的茎尖分生组织接种于一次性诱导植株再生培养基培养，待芽分化后，转入光照培养箱暗培养的温度为35℃。
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