[发明专利]一种提高掺杂碳薄膜材料光伏效应的方法

摘要

本发明提供了一种具有光电导效应的钯掺杂碳薄膜/氧化物/半导体材料，是将掺杂原子数含量为0～5％钯的石墨复合靶溅射到厚度为0.5～1.0毫米的带有氧化物的半导体衬底上，形成一层厚度为20～200纳米的薄膜，制成钯掺杂碳薄膜/氧化物/半导体材料。该钯掺杂碳薄膜/氧化物/半导体材料具有光电导效应，而且光电流与光照辐射强度具有很好的线性关系，可以用于制备光电传感器件，在室温下工作，结构简单，成本低，生产工艺简单，成品率高，具有广阔的应用前景。

主权项

一种提高掺杂碳薄膜材料光伏效应的方法，用于提高太阳能电池的转化效率。其特征是，利用浓度为的30％过氧化氢浸泡钯掺杂碳薄膜/二氧化硅/硅材料(半导体‑氧化物‑半导体结构)，浸泡时长为1～15分钟，在20毫瓦/厘米2的光照条件下，过氧化氢处理后的异质结材料开路电压、短路电流密度及其转化效率均得到提高。