[发明专利]钛合金表面原位生长氧化膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210028459.3 | 申请日： | 2012-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102560599A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 潘太军;陈德贵;李杰;张保 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于金属材料表面处理领域，尤其涉及钛合金表面处理方法的技术研究，特指钛合金表面原位生长氧化膜的制备方法。其特征在于：将除油清洗后的钛合金作为阳极，不锈钢电解槽作为阴极，将钛合金试样固定好置于电解液中，电解液为磷酸钠-硅酸钠体系，往电解液中同时加入钨酸钠和石墨，设置电解参数，处理5-30min，表面即可生成一层硬度高、耐磨性好、耐蚀性强的微弧氧化陶瓷层。 | ||
| 搜索关键词： | 钛合金 表面 原位 生长 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
钛合金表面原位生长氧化膜的制备方法，包括钛合金试样预处理的步骤、微弧氧化处理的步骤和试样后处理的步骤，其特征在于：所述微弧氧化处理的微弧氧化电解液是以硅酸钠‑多聚磷酸钠体系为基础液，添加钨酸钠和石墨，电解液中多聚磷酸钠5~15g/L、硅酸钠10~20 g/L，络合稳定剂EDTA二钠1~5 g/L，添加剂钨酸钠1~10g/L，石墨1~3g/L。
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