[发明专利]钛合金表面原位生长氧化膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210028459.3 申请日: 2012-02-09
公开(公告)号: CN102560599A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 潘太军;陈德贵;李杰;张保 申请(专利权)人: 常州大学
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 楼高潮
地址: 213164 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 钛合金 表面 原位 生长 氧化 制备 方法
【权利要求书】:

1.钛合金表面原位生长氧化膜的制备方法,包括钛合金试样预处理的步骤、微弧氧化处理的步骤和试样后处理的步骤,其特征在于:所述微弧氧化处理的微弧氧化电解液是以硅酸钠-多聚磷酸钠体系为基础液,添加钨酸钠和石墨,电解液中多聚磷酸钠5~15g/L、硅酸钠10~20 g/L,络合稳定剂EDTA二钠1~5 g/L,添加剂钨酸钠1~10g/L,石墨1~3g/L。

2.如权利要求1所述的钛合金表面原位生长氧化膜的制备方法,其特征在于:所述微弧氧化处理的步骤为:将钛合金作为阳极,不锈钢电解槽作为阴极,将钛合金试样固定好悬浮于不锈钢电解槽中的电解液中进行微弧氧化,试样不得与电解槽容器接触,开通搅拌器,使电解液被均匀搅拌,试验过程中适用循环冷却系统对电解液进行降温,输入设定的电解参数,接通电源,微弧氧化后停止。

3.如权利要求2所述的钛合金表面原位生长氧化膜的制备方法,其特征在于:所述电解参数为:微弧氧化电源为双向脉冲电源,电源功率为5~6KW、电压为300~500V、频率为400~600HZ、占空比为30%~100%、电流密度为0.05~0.5A/cm2

4.如权利要求2所述的钛合金表面原位生长氧化膜的制备方法,其特征在于:微弧氧化时间为5~30min,整个微弧氧化过程中温度保持在10~50℃

如权利要求1所述的钛合金表面原位生长氧化膜的制备方法,其特征在于:所述钛合金试样预处理的步骤为:将钛合金分别用400#、600#、1000#的砂纸逐级打磨,将试样放入丙酮溶液中超声辅助除油清洗,然后用去离子水冲洗,吹干备用。

5.如权利要求5所述的钛合金表面原位生长氧化膜的制备方法,其特征在于:超声除油时间为3~5min。

6.如权利要求1所述的钛合金表面原位生长氧化膜的制备方法,其特征在于:所述试样后处理的步骤为:将微弧氧化后的试样用蒸馏水冲洗干净,以去除表面残留的电解液,清洗完置于烘箱干燥。

7.如权利要求7所述的钛合金表面原位生长氧化膜的制备方法,其特征在于:所述干燥温度在50~100℃。

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