[发明专利]半导体器件制造方法

摘要

本公开涉及半导体器件制造方法。层间绝缘膜被设置在半导体衬底的图像拾取区域和外围区域上方。在层间绝缘膜中在覆盖光电转换部的位置形成开口。在半导体衬底的图像拾取区域和外围区域的上方形成波导构件。波导构件的设置在外围区域上方的部分被去除以使层间绝缘膜暴露。

主权项

一种半导体器件制造方法，包含：在制备包括第一区域和第二区域的半导体衬底之后，在第二区域上形成第一导电构件的第一步骤；在第一区域和第二区域上形成第一绝缘体的第二步骤，其中，第一绝缘体在第一导电构件的较远离半导体衬底的较远侧上形成；在第一绝缘体的第一部分中形成第一开口的第三步骤，所述第一部分被设置于第一区域上，而第一绝缘体位于要设置连接到第一导电构件的插头的位置；在第一开口内部以及第一绝缘体的第二部分上形成第二绝缘体的第四步骤，第二绝缘体由和第一绝缘体的材料不同的材料制成，所述第二部分设置在第二区域上；去除第二绝缘体的第一和第二部分以使第一绝缘体暴露的第五步骤，第二绝缘体的所述第一和第二部分都设置在第二区域上，第二绝缘体的第一部分在要形成插头处，并且第二绝缘体的第二部分在距第二绝缘体的第一部分预先确定的距离内；在第五步骤之后，在第一绝缘体中要设置插头的位置处形成第二开口的第六步骤；和在第二开口中形成插头的第七步骤，其中，第二开口的面积小于第二绝缘体的在第五步骤中被去除的第一和第二部分的面积。