[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包含：

在制备包括第一区域和第二区域的半导体衬底之后，在第二区域上形成第一导电构件的第一步骤；

在第一区域和第二区域上形成第一绝缘体的第二步骤，其中，第一绝缘体在第一导电构件的较远离半导体衬底的较远侧上形成；

在第一绝缘体的第一部分中形成第一开口的第三步骤，所述第一部分被设置于第一区域上，而第一绝缘体位于要设置连接到第一导电构件的插头的位置；

在第一开口内部以及第一绝缘体的第二部分上形成第二绝缘体的第四步骤，第二绝缘体由和第一绝缘体的材料不同的材料制成，所述第二部分设置在第二区域上；

去除第二绝缘体的第一和第二部分以使第一绝缘体暴露的第五步骤，第二绝缘体的所述第一和第二部分都设置在第二区域上，第二绝缘体的第一部分在要形成插头处，并且第二绝缘体的第二部分在距第二绝缘体的第一部分预先确定的距离内；

在第五步骤之后，在第一绝缘体中要设置插头的位置处形成第二开口的第六步骤；和

在第二开口中形成插头的第七步骤，

其中，第二开口的面积小于第二绝缘体的在第五步骤中被去除的第一和第二部分的面积。

2.如权利要求1所述的方法，还包含：

在第五步骤之后，在第二绝缘体上和设置在第二区域上的第一绝缘体的第二部分上形成第三绝缘体，

其中，在第六步骤中，在第三绝缘体中要设置插头的位置处形成第二开口。

3.如权利要求2所述的方法，其中，第一绝缘体和第三绝缘体由相同材料制成。

4.如权利要求1所述的方法，还包含：

在第四步骤和第五步骤之间，在第二绝缘体上形成第四绝缘体，

其中，在第五步骤中，第四绝缘体的第一和第二部分被去除以使第一绝缘体暴露，所述第一和第二部分都设置在距离半导体衬底比第一导电构件更远的位置，第四绝缘体的第一部分在要设置插头处，并且第四绝缘体的第二部分在距第四绝缘体的第一部分预先确定的距离内。

5.如权利要求1所述的方法，其中，第二区域上的第二绝缘体的全部在第四步骤中被去除，以使第二区域上的第一绝缘体的全部被暴露。

6.如权利要求1所述的方法，其中，在第四步骤之后，第二绝缘体的除第一和第二部分之外的至少第三部分被留在第一绝缘体上。

7.如权利要求1所述的方法，其中，第一绝缘体包括多个绝缘膜，并且

在第三步骤中，将第一开口形成为穿透所述多个绝缘膜。

8.如权利要求1所述的方法，还包含：

形成第二导电构件的步骤，第二导电构件连接到插头，并且被设置在第一导电构件的和半导体衬底相对的一侧上，

其中，形成第二导电构件的步骤包括：形成构成第二导电构件的材料的膜的步骤、以及通过使用用于蚀刻的掩模图案蚀刻所述膜的步骤，所述掩模图案被设置在所述膜上。

9.一种半导体器件制造方法，包含：

在制备包括第一区域和第二区域的半导体衬底之后，在第二区域上形成第一导电构件的第一步骤，在第一区域中设置有多个光电转换部，并且在第二区域中设置有用于处理来自所述多个光电转换部的信号的电路；

在第一区域和第二区域上形成第一绝缘体的第二步骤，其中，第一绝缘体在第一导电构件的较远离半导体衬底的较远侧上形成；

在第一绝缘体的第一部分中形成多个第一开口，以使得所述多个第一开口分别和所述多个光电转换部重叠的第三步骤，而第一绝缘体位于要设置连接到第一导电构件的插头的位置；

在所述多个第一开口的每一个的内部以及第一绝缘体的第二部分上形成第二绝缘体的第四步骤，第二绝缘体由和第一绝缘体的材料不同的材料制成，所述第二部分设置在第二区域上；

去除第二绝缘体的第一和第二部分以使第一绝缘体暴露的第五步骤，第二绝缘体的所述第一和第二部分都设置在第二区域上，第二绝缘体的第一部分在要设置插头之处，并且第二绝缘体的第二部分在距第二绝缘体的第一部分预先确定的距离内；

在第五步骤之后，在第一绝缘体中要设置插头的位置处形成第二开口的第六步骤；和

在第二开口中形成插头的第七步骤，

其中，第二开口的面积小于第二绝缘体的在第五步骤中被去除的第一和第二部分的面积。