[发明专利]半导体装置及其制造方法以及电源有效
| 申请号： | 201210026467.4 | 申请日： | 2012-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN102637650A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 冈本圭史郎;今田忠纮;今泉延弘;渡部庆二 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L29/778;H01L21/56;H01L21/335;H02M7/217;H02M3/155 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;陈炜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置、一种用于制造半导体装置的方法以及一种电源。本发明的半导体装置包括：半导体芯片，包括氮化物半导体分层结构，该氮化物半导体分层结构包括载流子输运层和载流子供给层；半导体芯片上的第一树脂层，该第一树脂层包括偶联剂；第一树脂层上的第二树脂层，该第二树脂层包括表面活性剂；以及密封树脂层，用于利用第一树脂层和第二树脂层对半导体芯片进行密封。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 以及 电源 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体芯片，包括氮化物半导体分层结构，所述氮化物半导体分层结构包括载流子输运层和载流子供给层；所述半导体芯片上的第一树脂层，所述第一树脂层包括偶联剂；所述第一树脂层上的第二树脂层，所述第二树脂层包括表面活性剂；以及密封树脂层，用于利用所述第一树脂层和所述第二树脂层对所述半导体芯片进行密封。
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