[发明专利]半导体装置及其制造方法以及电源

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体芯片，包括氮化物半导体分层结构，所述氮化物半导体分层结构包括载流子输运层和载流子供给层；

所述半导体芯片上的第一树脂层，所述第一树脂层包括偶联剂；

所述第一树脂层上的第二树脂层，所述第二树脂层包括表面活性剂；以及

密封树脂层，用于利用所述第一树脂层和所述第二树脂层对所述半导体芯片进行密封。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一树脂层和所述第二树脂层具有基本上相同的树脂成分。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述密封树脂层包括偶联剂。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述偶联剂的含量至多为10wt％。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述表面活性剂的含量至少为1ppm并且至多为5000ppm。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一树脂层包括选自聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂和硅树脂中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二树脂层包括选自聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂和硅树脂中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述密封树脂层包括环氧树脂和硅树脂中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述密封树脂层包括无机颗粒。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二树脂层和所述密封树脂层之间的接合界面比所述第一树脂层和所述第二树脂层之间的接合界面平坦。

11.一种电源，包括：

半导体芯片，包括氮化物半导体分层结构，所述氮化物半导体分层结构包括载流子输运层和载流子供给层；

所述半导体芯片的表面上的第一树脂层，所述第一树脂层包括偶联剂；

所述第一树脂层上的第二树脂层，所述第二树脂层包括表面活性剂，以及密封树脂层，用于利用所述第一树脂层和所述第二树脂层对所述半导体芯片进行密封。

12.一种用于制造半导体装置的方法，包括：

在半导体芯片上形成包括偶联剂的第一树脂层，所述半导体芯片包括氮化物半导体分层结构，所述氮化物半导体分层结构包括载流子输运层和载流子供给层；

在所述第一树脂层上形成包括表面活性剂的第二树脂层；以及

形成密封树脂层以对其上形成所述第一树脂层和所述第二树脂层的所述半导体芯片进行密封。

13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：

减小所述第二树脂层的厚度。

14.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：

在所述半导体芯片上施加包括所述偶联剂的第一树脂材料；以及

使所述第一树脂材料固化。

15.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：

在所述半导体芯片上施加所述偶联剂；以及

在所述偶联剂上施加第一树脂材料；以及

使所述第一树脂材料固化。

16.根据权利要求12所述的方法，进一步包括如下步骤：

利用包括偶联剂的密封树脂材料对所述半导体芯片进行密封。

17.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：

在所述第二树脂层上施加偶联剂；以及

利用密封树脂材料对所述半导体芯片进行密封。

18.根据权利要求12所述的方法，所述偶联剂的含量至多为10wt％。

19.根据权利要求12所述的方法，其中所述表面活性剂的含量至少为1ppm并且至多为5000ppm。

20.根据权利要求12所述的方法，其中所述密封树脂层包括无机颗粒。