[发明专利]BCD器件的高温推阱工艺

摘要

本发明提供一种BCD器件的高温推阱工艺，包括升温阶段、推进阶段和降温阶段，包括步骤：A.升高推阱工艺的温度，减少退火时间；B.计算高温推阱工艺的程序时间；C.对高温推阱工艺进行试验片验证；D.检测试验片，判断器件的产品参数是否符合工艺要求，若不符合，则调整工艺参数后返回步骤C；E.对器件进行产品分组试验；F.获取分组试验结果，判断产品参数和良率是否符合工艺要求，若不符合，则调整工艺参数后返回步骤E；G.按照高温推阱工艺对器件投入批量生产。本发明通过优化推阱工艺的温度和退火时间，经过试验片验证和产品分组试验获取推阱工艺的最佳温度以及花费的工艺时间，能够显著缩短工艺时间，提高大规模生产效率和产品良率。

主权项

一种BCD器件的高温推阱工艺，所述高温推阱工艺包括升温阶段、推进阶段和降温阶段，包括步骤：A.升高推阱工艺的温度，减少退火时间；B.计算整个所述高温推阱工艺的程序时间；C.对所述高温推阱工艺进行试验片验证；D.检测所述试验片，判断BCD器件的产品参数是否符合工艺要求，如果不符合，则调整工艺参数后重新返回步骤C；E.对所述BCD器件进行产品分组试验；F.获取所述分组试验结果，判断所述产品参数和良率是否符合工艺要求，如果不符合，则调整工艺参数后重新返回步骤E；G.按照所述高温推阱工艺对所述BCD器件投入批量生产。