[发明专利]BCD器件的高温推阱工艺

说明书

技术领域

本发明涉及半导体工艺技术领域，具体来说，本发明涉及一种BCD器件的高温推阱工艺。

背景技术

BCD工艺是一种单片集成工艺技术，这种技术能够在同一芯片上制作双极型晶体管管(Bipolar)、CMOS和DMOS器件。其综合了双极器件的高跨导、强负载驱动能力和CMOS器件高集成度、低功耗的优点，以及集成了DMOS功率器件。但目前这种工艺中推阱工序要求较高，工序时间长，工艺温度高。

现有的高温推阱工艺程序包括升温阶段、推进阶段、降温阶段共三个阶段。其中，推阱阶段的工艺温度一般在1100℃左右，整个工艺时间一般需要14小时左右，这对于规模化大生产来说耗费的时间实在太长。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种BCD器件的高温推阱工艺，能够显著缩短工艺时间，大大提高了生产效率和产品良率。

为解决上述技术问题，本发明提供一种BCD器件的高温推阱工艺，所述高温推阱工艺包括升温阶段、推进阶段和降温阶段，包括步骤：

A.升高推阱工艺的温度，减少退火时间；

B.计算整个所述高温推阱工艺的程序时间；

C.对所述高温推阱工艺进行试验片验证；

D.检测所述试验片，判断BCD器件的产品参数是否符合工艺要求，如果不符合，则调整工艺参数后重新返回步骤C；

E.对所述BCD器件进行产品分组试验；

F.获取所述分组试验结果，判断所述产品参数和良率是否符合工艺要求，如果不符合，则调整工艺参数后重新返回步骤E；

G.按照所述高温推阱工艺对所述BCD器件投入批量生产。

可选地，所述推阱工艺的温度范围为1100℃至1180℃。

可选地，整个所述高温推阱工艺的程序时间范围为100分钟至840分钟。

可选地，所述推阱工艺的温度为1150℃。

可选地，整个所述高温推阱工艺的程序时间为2小时35分钟。

可选地，所述产品参数包括所述BCD器件的结深、表面浓度、器件阈值电压和/或阱的电阻。

可选地，计算整个所述高温推阱工艺的程序时间是采用计算机模拟方式完成的。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

本发明通过优化推阱工艺的温度和退火时间，经过试验片验证和产品分组试验获取推阱工艺的最佳温度以及由其花费的工艺时间，通过上述过程能够显著缩短工艺时间，大大提高了大规模生产效率和产品良率。

附图说明

本发明的上述的以及其他的特征、性质和优势将通过下面结合附图和实施例的描述而变得更加明显，其中：

图1为本发明一个实施例的BCD器件的高温推阱工艺的流程示意图；

图2为本发明一个实施例的BCD器件的高温推阱工艺与现有工艺验证最佳实验配比的实验结果对比示意图；

图3为本发明一个实施例的BCD器件的高温推阱工艺与现有工艺的良率结果对比示意图；

图4为本发明一个实施例的BCD器件的高温推阱工艺与现有工艺的工艺时间对比示意图。

具体实施方式

本发明利用计算机模拟、试验设计等工具对高温推阱工艺的关键参数进行分析并筛选出试验条件，然后在设备上进行试验。通过对试验数据的统计分析确立了理想的工艺条件，并按此理想的工艺条件进一步对产品进行验证。结果表明，不仅产品完全符合要求，而且工艺时间缩短了90％左右，大大提高了生产效率和产品良率。

下面结合具体实施例和附图对本发明作进一步说明，在以下的描述中阐述了更多的细节以便于充分理解本发明，但是本发明显然能够以多种不同于此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下根据实际应用情况作类似推广、演绎，因此不应以此具体实施例的内容限制本发明的保护范围。

图1为本发明一个实施例的BCD器件的高温推阱工艺的流程示意图。本实施例中的高温推阱工艺包括升温阶段、推进阶段和降温阶段。

如图1所示，该BCD器件的高温推阱工艺可以包括：

执行步骤S201，将推阱工艺的温度范围升高到1100℃至1180℃，优选为1150℃，并减少退火时间。

执行步骤S202，采用例如计算机模拟的方式计算整个高温推阱工艺的程序时间，该程序时间范围可以为100分钟至840分钟；当推阱工艺的温度1150℃时，该程序时间可以优选为2小时35分钟。

执行步骤S203，对高温推阱工艺进行试验片验证。