[发明专利]依托磁路技术原理的强场约束配合物晶体生长装置

摘要

本发明涉及一种依托磁路技术原理的强场约束配合物晶体生长装置，属于配合物晶体培育领域。现有的依托强电流支撑的电磁铁强磁系统，由于电能高消耗以及冷却剂的高消耗，而无法实际投入耗时较长的对配合物晶体生长的强磁场干预实验，本案旨在解决该问题。本案利用两块永磁体作为磁源，依托磁路原理，将两块永磁体的磁力线聚束，在磁隙结构位置形成聚焦强磁场，并以该强磁场进行配合物晶体强磁场干预生长实验。本案装置回避了所述电磁铁强磁系统的电能的高消耗以及冷却剂的高消耗，本案装置能够让相关领域的研究人员在低成本、低消耗的前提下开展时间跨度较大的强磁场对配合物晶体生长干预的研究工作。

主权项

依托磁路技术原理的强场约束配合物晶体生长装置，该装置的结构包括两块永磁体，该永磁体呈板状、块状或柱状，该永磁体有两个磁极，该永磁体的两个磁极其位置分别对应于该永磁体的两个表面位置，以及，两支导磁臂，该导磁臂其构成材料是软磁性材料，该导磁臂其轮廓呈M形、W形或∑形，每一支导磁臂的位于首尾两个末端位置的两个端头分别与两块所述永磁体的极性相同的磁极贴合联接在一起，在每一支导磁臂的中部区域呈现的凸出结构其端部轮廓呈锥体状，分别来自两支所述导磁臂的所述凸出结构其锥体状端部相互邻近形成磁隙结构。