[发明专利]依托磁路技术原理的强场约束配合物晶体生长装置

权利要求书

1.依托磁路技术原理的强场约束配合物晶体生长装置，该装置的结构包括两块永磁体，该永磁体呈板状、块状或柱状，该永磁体有两个磁极，该永磁体的两个磁极其位置分别对应于该永磁体的两个表面位置，以及，两支导磁臂，该导磁臂其构成材料是软磁性材料，该导磁臂其轮廓呈M形、W形或∑形，每一支导磁臂的位于首尾两个末端位置的两个端头分别与两块所述永磁体的极性相同的磁极贴合联接在一起，在每一支导磁臂的中部区域呈现的凸出结构其端部轮廓呈锥体状，分别来自两支所述导磁臂的所述凸出结构其锥体状端部相互邻近形成磁隙结构。

2.根据权利要求1所述的依托磁路技术原理的强场约束配合物晶体生长装置，其特征是，在该磁隙结构位置放置有盘状的或杯状的用于配合物晶体生长的器皿。

3.根据权利要求1所述的依托磁路技术原理的强场约束配合物晶体生长装置，其特征是，所述永磁体其材料是钕铁硼永磁体。

4.根据权利要求1所述的依托磁路技术原理的强场约束配合物晶体生长装置，其特征是，所述永磁体其材料是硬磁铁氧体。

5.根据权利要求1所述的依托磁路技术原理的强场约束配合物晶体生长装置，其特征是，所述软磁性材料是纯铁材料。

6.根据权利要求2所述的依托磁路技术原理的强场约束配合物晶体生长装置，其特征是，在该盘状的或杯状的用于配合物晶体生长的器皿的开口端位置覆盖有有机聚合物薄膜，以及，该有机聚合物薄膜上开设有一个以上的孔洞。