[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201210021644.X | 申请日： | 2012-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102760723A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 朴辰哲 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L27/108;H01L21/768;H01L21/8242;G11C7/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件、半导体芯片、半导体组件、半导体单元、半导体系统以及制造半导体器件的方法。当形成埋入式位线或增大绝缘层的厚度时，通过在一侧触点的相反侧形成气隙，该半导体器件能够减小相邻的位线之间的耦合电容，从而改善半导体器件的特性。该半导体器件包括：多个线图案，其包括一侧触点；位线，其埋入在半导体器件的下部中并位于相邻的线图案之间；位线接面区域，其形成在各个线图案中该位线的一侧；以及气隙，其形成在该位线的另一侧和各个线图案之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：多个线图案，各个线图案包括形成在各个线图案的第一侧壁处的一侧触点OSC；位线，其埋入在所述半导体器件的下部中并位于相邻的线图案之间；位线接面区域，其形成在各个线图案中，并且经由所述一侧触点与所述位线相连；以及气隙，其形成在所述线图案的第二侧壁和相邻的位线之间。
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