[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

多个线图案，各个线图案包括形成在各个线图案的第一侧壁处的一侧触点OSC；

位线，其埋入在所述半导体器件的下部中并位于相邻的线图案之间；

位线接面区域，其形成在各个线图案中，并且经由所述一侧触点与所述位线相连；以及

气隙，其形成在所述线图案的第二侧壁和相邻的位线之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述线图案包括半导体基板的被蚀刻部分。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

衬垫绝缘层，其设置在所述线图案的表面上。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述位线包括从下述群组中选出的至少一者：所述群组包括钛层、氮化钛层和掺杂多晶硅层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

绝缘层，其形成为围绕所述气隙。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

覆盖层，其设置在所述位线和所述气隙上。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，

所述覆盖层包括氮化物层。

8.一种半导体单元，包括：

晶体管，其包括栅极和存储节点接面区域；

位线，其设置为与所述栅极交叉；

位线触点，其将位线接面区域与所述位线相连；以及

气隙，其形成在线图案的侧壁和相邻的位线之间。

9.根据权利要求8所述的半导体单元，还包括：

存储单元，其与所述存储节点接面区域相连。

10.根据权利要求9所述的半导体单元，其中，

所述存储单元包括电容器。

11.根据权利要求8所述的半导体单元，其中，

所述栅极是形成在柱图案的至少两侧的竖直栅极，所述柱图案横跨所述线图案。

12.根据权利要求8所述的半导体单元，其中，

所述位线包括从下述群组中选出的至少一者：所述群组包括钛层、氮化钛层和掺杂多晶硅层。

13.根据权利要求8所述的半导体单元，其中，

所述气隙形成在所述位线的侧壁上。

14.根据权利要求8所述的半导体单元，还包括：

绝缘层，其埋入在所述气隙中。

15.一种半导体芯片，包括：

核心电路区域；以及

根据权利要求8所述的半导体单元。

16.根据权利要求15所述的半导体芯片，其中，

所述核心电路区域包括：

行译码器，其选择所述半导体单元阵列的字线；

列译码器，其选择所述半导体单元阵列的位线；以及

读出放大器，其读出存储在由所述行译码器和所述列译码器选出的半导体单元中的数据。

17.一种半导体组件，包括：

根据权利要求15所述的半导体芯片；以及

外部输入输出I/O线路，其与所述半导体芯片相连。

18.根据权利要求17所述的半导体组件，还包括：

数据输入缓冲器；

指令地址输入缓冲器；以及

电阻器单元。

19.根据权利要求18所述的半导体组件，还包括：

内部指令地址总线，其构造为向所述指令地址输入缓冲器发送指令/地址信号。

20.一种半导体系统，包括：

根据权利要求17所述的半导体组件；以及

控制器，其构造为与所述半导体组件通信，以便向所述半导体组件发送数据和指令/地址信号或者从所述半导体组件接收数据和指令/地址信号。

21.一种制造半导体器件的方法，包括：

通过蚀刻半导体基板来形成多个线图案；

将位线埋入在所述半导体器件的下部并位于相邻的线图案之间；

在各个线图案中所述位线的一侧形成位线接面区域；以及

在所述线图案的另一侧和相邻的位线之间形成气隙。