[发明专利]照射系统、光刻设备和方法有效

专利信息
申请号: 201210020846.2 申请日: 2012-01-30
公开(公告)号: CN102629079A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: A·S·特奇科夫 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴敬莲
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明公开了一种照射系统、光刻设备和器件制造方法。所述照射系统包括配置成朝向光瞳面引导辐射的可控反射镜阵列和配置成朝向所述可控反射镜阵列引导辐射子束的透镜阵列,其中所述透镜阵列的第一透镜和所述可控反射镜阵列中的可控反射镜形成了具有第一光焦度的第一光通道,所述透镜阵列中的第二透镜和所述可控反射镜阵列中的可控反射镜形成具有第二光焦度的第二光通道,使得由所述第一光通道形成的辐射子束在所述光瞳面处具有第一横截面面积和形状,由所述第二光通道形成的辐射子束在所述光瞳面处具有第二不同的横截面面积和/或形状。
搜索关键词: 照射 系统 光刻 设备 方法
【主权项】:
一种照射系统,所述照射系统包括配置成朝向光瞳面引导辐射的可控反射镜阵列和配置成朝向所述可控反射镜阵列引导辐射子束的透镜阵列;其中所述透镜阵列的第一透镜和所述可控反射镜阵列中的可控反射镜形成了具有第一光焦度的第一光通道,所述透镜阵列中的第二透镜和所述可控反射镜阵列中的可控反射镜形成具有第二光焦度的第二光通道,使得由所述第一光通道形成的辐射子束在所述光瞳面处具有第一横截面面积和形状,由所述第二光通道形成的辐射子束在所述光瞳面处具有第二不同的横截面面积和/或形状。
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