[发明专利]用于氮化镓增强型晶体管的低栅极-泄漏结构和方法有效
| 申请号： | 201210020660.7 | 申请日： | 2012-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102623490A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·卡尔尼茨基;熊志文;蔡俊琳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构。半导体结构包括：基板上的氮化镓(GaN)层；设置在GaN层上的氮化铝镓(AlGaN)层；以及设置在AlGaN层上的栅叠层。栅叠层包括：III-V化合物n型掺杂层；邻近III-V化合物n型掺杂层的III-V化合物p型掺杂层；以及形成在III-V化合物p型掺杂层和III-V化合物n型掺杂层之上的金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 氮化 增强 晶体管 栅极 泄漏 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：基板上的氮化镓(GaN)层；设置在GaN层上的氮化铝镓(AlGaN)层；以及设置在AlGaN层上的栅叠层，其中，所述栅叠层包括：III‑V化合物n型掺杂层；III‑V化合物p型掺杂层，邻近所述III‑V化合物n型掺杂层；以及金属层，形成在所述III‑V化合物p型掺杂层和所述III‑V化合物n型掺杂层之上。
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