[发明专利]抗蚀剂图案改善材料、抗蚀剂图案形成方法、半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210020305.X | 申请日： | 2012-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN102681338A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 野崎耕司;小泽美和 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明涉及抗蚀剂图案改善材料、抗蚀剂图案形成方法、半导体装置及其制造方法。本发明涉及的抗蚀剂图案改善材料包含水和由以下通式(1)表示的氯化苄烷铵，其中n是8～18的整数。 |
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| 搜索关键词： | 抗蚀剂 图案 改善 材料 形成 方法 半导体 装置 及其 制造 | ||
【主权项】：
1.一种抗蚀剂图案改善材料，所述抗蚀剂图案改善材料包含：水；和由以下通式(1)表示的氯化苄烷铵：![]()
通式(1)其中，n是8～18的整数。
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