[发明专利]抗蚀剂图案改善材料、抗蚀剂图案形成方法、半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种抗蚀剂图案改善材料，所述抗蚀剂图案改善材料包含：

水；和

由以下通式(1)表示的氯化苄烷铵：

通式(1)

其中，n是8～18的整数。

2.如权利要求1所述的抗蚀剂图案改善材料，所述抗蚀剂图案改善材料还包含水溶性树脂。

3.如权利要求2所述的抗蚀剂图案改善材料，其中，所述水溶性树脂是选自由聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、聚谷氨酸和至少在其一部分中含有任一种前述树脂的树脂组成的组中的至少一种。

4.如权利要求2所述的抗蚀剂图案改善材料，其中，所述水溶性树脂相对于100质量份的水的含量为0.001质量份～10质量份。

5.如权利要求1所述的抗蚀剂图案改善材料，所述抗蚀剂图案改善材料还包含表面活性剂。

6.如权利要求1所述的抗蚀剂图案改善材料，其中，所述抗蚀剂图案改善材料是水溶液的形式。

7.一种抗蚀剂图案的形成方法，所述方法包括：

施加抗蚀剂图案改善材料以覆盖抗蚀剂图案的表面；

加热施加的所述抗蚀剂图案改善材料和所述抗蚀剂图案；和

用含有水的漂洗液漂洗经加热的所述抗蚀剂图案改善材料和所述抗蚀剂图案，

其中，通过将抗蚀剂材料施加至加工表面、使施加的所述抗蚀剂材料曝光、并使经曝光的所述抗蚀剂材料显影以使所述抗蚀剂材料图案化，从而形成所述抗蚀剂图案，并且

其中，所述抗蚀剂图案改善材料包含水和由以下通式(1)表示的氯化苄烷铵：

通式(1)

其中，n是8～18的整数。

8.一种半导体装置的制造方法，所述方法包括：

施加抗蚀剂图案改善材料以覆盖在加工表面上形成的抗蚀剂图案的表面；

加热施加的所述抗蚀剂图案改善材料和所述抗蚀剂图案；

用含有水的漂洗液漂洗经加热的所述抗蚀剂图案改善材料和所述抗蚀剂图案，从而形成经改善的抗蚀剂图案；和

使用所述经改善的抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻所述加工表面，从而使所述加工表面图案化，

其中，通过将抗蚀剂材料施加至加工表面、使施加的所述抗蚀剂材料曝光、并使经曝光的所述抗蚀剂材料显影以使所述抗蚀剂材料图案化，从而形成所述抗蚀剂图案，并且

其中，所述抗蚀剂图案改善材料包含水和由以下通式(1)表示的氯化苄烷铵：

通式(1)

其中，n是8～18的整数。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，所述蚀刻是干法蚀刻。

10.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，所述加工表面由介电常数为2.7以下的层间绝缘材料形成。

11.一种半导体装置，所述装置通过包括下述步骤的方法获得：

施加抗蚀剂图案改善材料以覆盖在加工表面上形成的抗蚀剂图案的表面；

加热施加的所述抗蚀剂图案改善材料和所述抗蚀剂图案；

用含有水的漂洗液漂洗经加热的所述抗蚀剂图案改善材料和所述抗蚀剂图案，从而形成经改善的抗蚀剂图案；和

使用所述经改善的抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻所述加工表面，从而使所述加工表面图案化，

其中，通过将抗蚀剂材料施加至加工表面、使施加的所述抗蚀剂材料曝光、并使经曝光的所述抗蚀剂材料显影以使所述抗蚀剂材料图案化，从而形成所述抗蚀剂图案，并且

其中，所述抗蚀剂图案改善材料包含水和由以下通式(1)表示的氯化苄烷铵：

通式(1)

其中，n是8～18的整数。