[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210019756.1 申请日: 2012-01-11
公开(公告)号: CN102593078A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 波多俊幸 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/367;H01L23/495;H01L21/56
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;边海梅
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种可以增强构成半导体器件的封装体的可靠性的技术。本发明的技术构思的特征在于:散热器单元与外部引线单元相互分离;并且外部引线单元具有芯片布置部分,并且每个芯片布置部分与每个散热器接合在一起。结果,当在树脂密封步骤处形成密封本体时,连接部分起到用于防止树脂泄漏的阻挡部的功能,并且因此可以防止在封装体产品中形成树脂毛刺。此外,在散热器单元中不发生弯曲并且可以抑制由弯曲(翘曲)引起的在密封本体中的断裂。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体器件,包括:(a)散热器,具有第一正面以及位于与所述第一正面相对侧上的第一背面;(b)引线部分,具有多个引线以及芯片布置部分,所述芯片布置部分具有第二正面以及位于与所述第二正面相对侧上的第二背面;(c)半导体芯片,其布置在所述芯片布置部分的所述第二正面上方;以及(d)密封本体,其密封所述散热器的一部分、所述引线部分的一部分以及所述半导体芯片,其中,构成所述引线部分的所述引线和所述半导体芯片相互电耦合,以及其中,在所述密封本体中,所述散热器的所述第一正面与所述芯片布置部分的所述第二背面彼此相对布置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210019756.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top