[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210019756.1 申请日: 2012-01-11
公开(公告)号: CN102593078A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 波多俊幸 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/367;H01L23/495;H01L21/56
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;边海梅
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【说明书】:

相关申请的交叉引用

在此通过引用将2011年1月12日提交的日本专利申请No.2011-3691的公开内容,包括说明书、附图和摘要全部并入于此。

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造技术,并具体涉及一种能够有效应用于树脂密封的半导体器件及其制造技术的技术。

背景技术

日本未审专利公开No.Hei 6(1994)-132457(专利文献1)描述了一种分开配置有厚晶体管布置部分和薄内部引线的结构。根据专利文献1,在晶体管布置部分上方布置晶体管元件,并且通过在孔中插入销钉(接合部分)并且挤锻该销钉而使该晶体管布置部分和内部引线相互接合并且成为整体。如专利文献1中的图5所示,使用密封树脂密封晶体管布置部分和内部引线,从而使得它们完全被覆盖。

日本未审专利公开No.2000-31338(专利文献2)描述了专利文献2中的图2和图6所示的结构。在该结构中,在基板上方布置引线框架,其中在它们之间具有树脂绝缘层,并且在该引线框架上方布置开关半导体元件。

[专利文献1]日本未审专利公开No.Hei 6(1994)-132457

[专利文献2]日本未审专利公开No.2000-31338

发明内容

一种半导体器件,包括:半导体芯片,在该半导体芯片中形成有例如MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体元件和多层互连;以及封装体,其被形成为覆盖该半导体芯片。

上述封装体具有如下功能:(1)将形成在半导体芯片中的半导体元件与外部电路电耦合在一起;以及(2)保护半导体芯片免受例如湿度和温度的外部环境影响,从而防止由于振动或者损伤引起的破坏以及防止半导体芯片特性退化。此外,该封装体具有如下功能:(3)便于半导体芯片的处理,以及(4)耗散在半导体芯片工作时产生的热,以完全利用半导体元件的功能。因此,重要的是增强构成半导体器件的封装体的可靠性,以允许该封装体充分发挥上述所需的功能。

本发明的目的在于提供一种能够增强构成半导体器件的封装体的可靠性的技术。

从本说明书和附图中的描述,将可以明确本发明的上述和其他目的以及新颖特征。

以下是本申请中阐述的发明的代表性要素的要点的简要说明。

代表性实施例中的一种半导体器件,其包括:(a)散热器,具有第一正面以及位于与第一正面相对侧上的第一背面;以及(b)具有多个引线和芯片布置部分的引线部分,该芯片布置部分具有第二正面以及位于与第二正面相对侧上的第二背面。该半导体器件进一步包括:(c)半导体芯片,其布置在芯片布置部分的第二正面上方;以及(d)密封本体,其密封散热器的一部分、引线部分的一部分以及半导体芯片。构成引线部分的引线与该半导体芯片相互电耦合。在密封本体中,散热器的第一正面以及芯片布置部分的第二背面被设置为彼此相对。

代表性实施例中的一种半导体器件的制造方法包括以下步骤:(a)制备第一框架,在该第一框架中多个散热器通过连接部分连接起来;(b)制备第二框架,在第二框架中每个都具有多个引线和芯片布置部分的多个引线部分连接在一起;以及(c)使第二框架成形,以使得芯片布置部分的表面被定位成低于引线的表面。该制造方法进一步包括以下步骤:(d)在每个芯片布置部分上方布置半导体芯片;(e)将每个半导体芯片和引线电耦合在一起;以及(f)密封每个散热器的一部分、每个引线部分的一部分以及每个半导体芯片。步骤(f)包括以下步骤:(f1)在模制模具中放置并设置第一框架和第二框架,以使得当从平面图看时从上方每个芯片布置部分与每个散热器重叠;以及(f2)通过使用形成在第一框架中的连接部分作为树脂阻挡部来采用树脂填充模制模具的内部。步骤(f)进一步包括步骤:(f3)从模制模具中取出已模制的第一框架和第二框架。

以下是由本申请中阐述的发明的代表性元素得到的效果的要点的简要说明。

构成半导体器件的封装体的可靠性可以得以增强。

附图说明

图1是示意性说明了从第一封装体产品的结构至本发明的结构的流程的图;

图2A是从正面看时第一封装体的正视图;

图2B是从侧面看时第一封装体的侧视图;

图2C是从背面看时的第一封装体的后视图;

图3是说明了其上形成有树脂毛刺的第一封装体的外观的配置的图;

图4是说明了在制造第一封装体时使用的引线框架的结构的图;

图5A是从正面看时第二封装体的正视图;

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