[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201210019743.4 | 申请日： | 2012-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102623585A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 林祐湜 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;董文国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 实施方案涉及在支撑构件和发光结构之间具有高接合力以及具有高可靠性的发光器件。一个实施方案中的发光器件可包括：支撑构件；设置在所述支撑构件上的发光结构，其中所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及介于所述第一和第二半导体层之间的有源层；介于所述支撑构件和所述发光结构之间的电极接合层；以及介于所述支撑构件和所述电极接合层之间的第三半导体层，其中所述第三半导体层包括在所述第一和第二层中至少之一中所包含的元素的至少之一。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：支撑构件；设置在所述支撑构件上的发光结构，其中所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及介于所述第一和第二半导体层之间的有源层；介于所述支撑构件和所述发光结构之间的电极接合层；和介于所述支撑构件和所述电极接合层之间的第三半导体层，其中所述第三半导体层包括在所述第一和第二半导体层中的至少之一中所包含的元素的至少之一。
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