[发明专利]发光器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年1月26日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2011-0007927的优先权，通过引用将其公开内容并入本文。

技术领域

实施方案涉及发光器件。

背景技术

发光器件通过使用化合物半导体的特性将电信号转变成红外光、可见光或光的形式。发光器件用于家用电器、遥控器、电子显示器、指示器、各种自动化设备等，并且发光器件的应用范围逐步扩大。

随着发光器件的应用范围扩大，家庭和建筑物中用灯、救援信号用灯等要求高的亮度。因此，提高发光器件的亮度是重要的。

为了提高发光器件的亮度，提出了一种垂直型发光器件。在垂直型发光器件中，将发光结构和导电衬底附接在诸如蓝宝石的衬底上，然后分离衬底。

然而，一般而言，附接至发光结构的导电衬底由金属或导电陶瓷制成。因此，发光结构和导电衬底具有不同的热膨胀系数，并且发光结构和导电衬底之间的粘附力减小。因此，发光器件的可靠性低。

发明内容

实施方案提供设置为增加支撑构件和发光结构之间的接合力并具有优异可靠性的发光器件。

因此，根据第一实施方案，一种发光器件可包括：支撑构件；设置在所述支撑构件上的发光结构，其中所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及介于所述第一和第二半导体层之间的有源层；介于所述支撑构件和所述发光结构之间的电极接合层；和介于所述支撑构件和所述电极接合层之间的第三半导体层，其中所述第三半导体层包括在所述第一和第二半导体层中的至少之一中所包含的元素的至少之一。

此外，根据第二实施方案，一种发光器件可包括：包括含硅(Si)的层的支撑构件和在所述层上的第三半导体层；设置在所述第三层上的发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及介于所述第一和第二半导体层之间的有源层；以及介于所述第三半导体层和发光结构之间的电极接合层，其中所述第三半导体层包括在所述第一和第二半导体层中的至少之一中所包含的元素的至少之一，并且具有其中设置电极接合层的不平坦表面。

此外，根据第三实施方案，发光器件可以包括：包括第一和第二区域的支撑构件；设置在所述第一区域上的发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及介于所述第一和第二半导体层之间的有源层；设置在所述第二区域上的半导体结构，其中所述半导体结构包括：包含与所述第一半导体层的材料相同的材料的第四半导体层、以及包含与所述第二半导体层的材料相同的材料的第五半导体层；介于所述支撑构件和所述发光结构之间的电极接合层；以及介于所述支撑构件和所述电极接合层之间的第三半导体层，其中所述第三半导体层包括在所述第一层和所述第二层中的至少之一中包含的元素中的至少之一。

根据实施方案，第三半导体层生长或设置在支撑构件上，电极接合层设置在第三半导体层上，发光结构设置在电极接合层上。因此，设置在电极接合层两侧上的第三半导体层和发光结构的热膨胀系数和晶格常数可以相同或相似。因此，发光器件可以具有高可靠性，并且支撑构件和发光结构之间的接合力可以增加。

此外，根据实施方案，由于在支撑构件的区域中形成具有齐纳二极管功能的半导体结构等，所以可以不向发光结构提供静电放电(ESD)。因此，其防止发光器件受损并且发光器件可以具有高可靠性。

附图说明

接合附图，通过以下详细说明，可更清楚地理解实施方案的细节，附图中：

图1是示出根据第一实施方案的发光器件的分解立体图；

图2是示出组装发光器件时图1的发光器件的立体图；

图3是示出图2的发光器件的截面立体图；

图4是示出根据第二实施方案的发光器件的分解立体图；

图5是示出根据第三实施方案的发光器件的分解立体图；

图6是示出包括根据实施方案的发光器件的发光二极管封装件的立体图；

图7是示出包括根据实施方案的发光器件的照明装置的立体图；

图8是示出沿图7中的线A-A’截取的照明装置的截面图；

图9示出包括根据实施方案的发光器件的液晶显示装置的分解立体图；和

图10是示出包括根据另一实施方案的发光器件的液晶显示装置的分解立体图。

具体实施方式