[发明专利]光致细胞脱附的方法及其所使用的细胞培养器具无效
| 申请号： | 201210013668.0 | 申请日： | 2012-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102586169A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 程逵;翁文剑;洪逸 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C12N5/00 | 分类号： | C12N5/00;C12N5/077;C12N5/071;C12M3/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光致细胞脱附的方法及其所使用的细胞培养器具。该方法包括：在进行体外细胞培养前，在细胞培养器皿的细胞接触表面上制备光敏半导体结构层作为细胞培养表面；再在所述细胞培养器皿的细胞培养表面上进行体外细胞培养；在体外细胞培养完成后，通过紫外光或可见光照射处理使生长于所述细胞培养表面的细胞从所述细胞培养器皿脱附。该方法可最大程度减小再细胞脱附时对细胞的损伤。该方法中所使用的细胞培养器具包括：细胞培养器皿，并在所述细胞培养器皿的细胞接触表面上制备有光敏半导体结构层作为细胞培养表面。该器具只需对现有技术中进行很小的改进即可实现，成本低，易于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 细胞 方法 及其 使用 细胞培养 器具 | ||
【主权项】：
一种用于体外细胞培养中光致细胞脱附的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在进行体外细胞培养前，在细胞培养器皿的细胞接触表面上制备光敏半导体结构层作为细胞培养表面，所述光敏半导体为具有光至憎水‑亲水转换特性的光敏半导体，所述光敏半导体结构层为光敏半导体薄膜或光敏半导体微纳点阵，其中，所述光敏半导体薄膜的晶粒尺寸为2～100nm，厚度为50nm～2000nm，所述光敏半导体微纳点阵中的半导体纳米点的密度范围在1.0×1010～1×1012/cm2，点尺寸范围在10nm～500nm；(2)在所述细胞培养器皿的细胞培养表面上进行并完成体外细胞培养后，通过紫外光或可见光照射处理使生长于所述细胞培养表面的细胞从所述细胞培养器皿脱附。
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