[发明专利]光致细胞脱附的方法及其所使用的细胞培养器具无效
| 申请号： | 201210013668.0 | 申请日： | 2012-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102586169A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 程逵;翁文剑;洪逸 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C12N5/00 | 分类号： | C12N5/00;C12N5/077;C12N5/071;C12M3/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 细胞 方法 及其 使用 细胞培养 器具 | ||
1.一种用于体外细胞培养中光致细胞脱附的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在进行体外细胞培养前，在细胞培养器皿的细胞接触表面上制备光敏半导体结构层作为细胞培养表面，所述光敏半导体为具有光至憎水-亲水转换特性的光敏半导体，所述光敏半导体结构层为光敏半导体薄膜或光敏半导体微纳点阵，其中，所述光敏半导体薄膜的晶粒尺寸为2～100nm，厚度为50nm～2000nm，所述光敏半导体微纳点阵中的半导体纳米点的密度范围在1.0×1010～1×1012/cm2，点尺寸范围在10nm～500nm；
(2)在所述细胞培养器皿的细胞培养表面上进行并完成体外细胞培养后，通过紫外光或可见光照射处理使生长于所述细胞培养表面的细胞从所述细胞培养器皿脱附。
2.如权利要求1所述的用于体外细胞培养中光致细胞脱附的方法，其特征在于，所述光敏半导体为氧化钛、氧化锌、氧化锡、氧化铁或氧化锆。
3.如权利要求1或2所述的用于体外细胞培养中光致细胞脱附的方法，其特征在于，所述的紫外光或可见光照射处理的过程为：
将波长为300～400纳米的紫外光从细胞培养器皿底部入射，照射1～40分钟；
或者，将波长为400～700纳米的可见光从细胞培养器皿的细胞培养表面或底部入射，照射10～60分钟。
4.一种用于体外细胞培养中光致细胞脱附时所使用的细胞培养器具，包括：细胞培养器皿，其特征在于，在所述细胞培养器皿的细胞接触表面上制备有光敏半导体结构层作为细胞培养表面，所述光敏半导体为具有光至憎水-亲水转换特性的光敏半导体，所述光敏半导体结构层为光敏半导体薄膜或光敏半导体微纳点阵，其中，所述光敏半导体薄膜的晶粒尺寸为2～100nm，厚度为50nm～2000nm，所述光敏半导体微纳点阵中的半导体纳米点的密度范围在1.0×1010～1×1012/cm2，点尺寸范围在10nm～500nm。
5.如权利要求4所述的细胞培养器具，其特征在于，所述光敏半导体为氧化钛、氧化锌、氧化锡、氧化铁或氧化锆。
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