[发明专利]低源漏结电容的NMOS开关器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种低源漏结电容的NMOS开关器件的结构，其包含有位于P型衬底上的浅槽隔离结构，隔离结构之间为源漏区及P阱。所述P阱位于源漏之间与源漏区侧面相接触；P阱上方是依次覆盖栅氧化层及多晶硅栅极；多晶硅源漏与多晶硅栅极上均覆盖有金属硅化物；接触孔穿越介质层与金属硅化物接触分别将栅、源、漏极引出。本发明还公开了所述低源漏结电容的NMOS开关器件的制造方法。本发明所述的NMOS器件改变了P阱注入区域，并使用多晶硅源漏工艺，有效降低了源漏结电容，提高了NMOS开关器件的开关速度。

主权项

一种低源漏结电容的NMOS开关器件的制造方法，其特征在于：包含如下步骤：步骤1：利用浅槽隔离工艺，形成浅槽隔离结构，对NMOS进行源漏区以外的P阱注入；步骤2：分别生长栅氧化层和多晶硅栅极，最后生长氮化膜阻挡层和无定形硅阻挡层；步骤3：通过一道光刻，进行栅极干法刻蚀，多晶硅刻蚀完成后，形成栅极结构，并进行轻掺杂漏注入工艺；步骤4：生长氧化硅薄膜，然后进行干法刻蚀形成栅极的侧墙；步骤5：生长多晶硅源漏，覆盖整个器件表面；步骤6：通过一道光刻，定义NMOS器件区域的多晶硅源漏，用光刻胶挡住多晶硅栅极两侧多晶硅之外的区域；步骤7：进行多晶硅源漏和栅极上的无定形硅阻挡层的干法刻蚀，栅极的区域停在氮化膜阻挡层上，多晶硅栅极的两侧多晶硅由于厚度较厚，会自动保留下来，其余的区域由光刻胶定义保留或去除；步骤8：去除氮化膜阻挡层，然后进行源漏区注入，注入的杂质能量以不穿通多晶硅源漏为准，接着进行热处理扩散，在有源区硅中形成源漏区；步骤9：在多晶硅栅极和多晶硅源漏上形成金属硅化物，通过传统的接触孔工艺形成接触孔连接，形成金属线连接，最终器件形成。