[发明专利]磁阻式随机存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201210012951.1 | 申请日： | 2012-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN102881820A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 刘明德;江典蔚;高雅真;陈文正 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及的是一种磁阻式随机存储器(MRAM)单元，其包括磁隧道结(MTJ)、设置在MTJ上方的顶部电极、设置在MTJ下方的底部电极以及设置在MTJ一侧的感应线。该感应线被配置为在MTJ处感生出垂直磁场。本发明还公开了磁阻式随机存储器及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁阻式随机存储器(MRAM)单元，包括：磁隧道结(MTJ)；顶部电极，设置在所述MTJ上方；底部电极，设置在所述MTJ下方；以及感应线，设置在所述MTJ的一侧，其中，所述感应线配置为在所述MTJ处感生出垂直磁场。
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