[发明专利]薄膜沉积系统无效
申请号: | 201210012471.5 | 申请日: | 2012-01-16 |
公开(公告)号: | CN102719810A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 刘恒 | 申请(专利权)人: | 绿种子材料科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/458 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;常大军 |
地址: | 中国台湾台北市信*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种薄膜沉积系统,在一或多个基板上形成一或多层的一或多种材质。该系统包含一承盘元件可围绕一承盘轴旋转,至少一基板座直接或间接设置于该承盘元件上,用以承载该一或多个基板。该基板座还配置为令该一或多个基板围绕该承盘轴旋转。此外,该系统包含至少一加热元件用以加热该一或多个基板。各基板包含一面对加热元件的表面,具有一翘曲高度,该加热元件与该表面之间具有一距离。该距离为各基板翘曲高度的20倍以上。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 沉积 系统 | ||
【主权项】:
一种薄膜沉积系统,用以在一或多个基板上形成一或多层的一或多种材质,其特征在于,该薄膜沉积系统包含:一承盘元件,能够围绕一承盘轴旋转;至少一基板座,直接或间接设置于该承盘元件上,承载一或多个基板,该基板座设置成使该一或多个基板围绕该承盘轴旋转;及至少一加热元件,不经由该承盘元件及基板座而是直接加热该一或多个基板;其中,该加热元件配置成只有在该一或多个基板围绕该承盘轴旋转的情况下,该加热元件使该一或多个基板具有一第一温度,该第一温度沿着该承盘轴的径向为定值。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的