[发明专利]薄膜沉积系统无效
申请号: | 201210012471.5 | 申请日: | 2012-01-16 |
公开(公告)号: | CN102719810A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 刘恒 | 申请(专利权)人: | 绿种子材料科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/458 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;常大军 |
地址: | 中国台湾台北市信*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 沉积 系统 | ||
1.一种薄膜沉积系统,用以在一或多个基板上形成一或多层的一或多种材质,其特征在于,该薄膜沉积系统包含:
一承盘元件,能够围绕一承盘轴旋转;
至少一基板座,直接或间接设置于该承盘元件上,承载一或多个基板,该基板座设置成使该一或多个基板围绕该承盘轴旋转;及
至少一加热元件,不经由该承盘元件及基板座而是直接加热该一或多个基板;
其中,该加热元件配置成只有在该一或多个基板围绕该承盘轴旋转的情况下,该加热元件使该一或多个基板具有一第一温度,该第一温度沿着该承盘轴的径向为定值。
2.根据权利要求1项所述的薄膜沉积系统,其特征在于,该加热元件还配置成若该一或多个基板围绕该承盘轴旋转,则该加热元件使该一或多个基板具有该第一温度,不论该一或多个基板是否围绕对应的基板座轴旋转。
3.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统,其特征在于,该基板座还配置成使该一或多个基板围绕一对应的基板座轴旋转,该对应的基板座轴与该承盘轴不同。
4.根据权利要求3所述的薄膜沉积系统,其特征在于,该加热元件还配置为:
使该一或多个基板具有一第二温度,若该一或多个基板围绕该承盘轴旋转但不围绕对应的基板座轴旋转,该第二温度沿着该承盘轴的径向线性改变;及
使该一或多个基板具有该第一温度,若该一或多个基板围绕该承盘轴旋转且围绕对应的基板座轴旋转。
5.根据权利要求4所述的薄膜沉积系统,其特征在于,该第二温度在一第一尺寸范围中沿着该径向线性改变,该第一尺寸等于或大于该基板座沿着该径向的一第二尺寸。
6.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统,其特征在于,该加热元件还配置为经由该承盘与基板座的一或多个中空部分直接加热该一或多个基板。
7.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统,其特征在于,该加热元件包含一或多个加热电阻。
8.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统,其特征在于,该加热元件包含一或多个线圈。
9.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统,其特征在于,该加热元件还配置为不经由该承盘元件与基板座直接以热辐射加热该一或多个基板。
10.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统,其特征在于,该加热元件还配置为不经由该承盘与基板座直接以电磁辐射加热该一或多个基板。
11.根据权利要求10所述的薄膜沉积系统,其特征在于,
各基板分别包含一第一层及一第二层;
该第一层包含一或多个光学透明材质;及
该第二层包含一或多个光阻材质吸收电磁辐射能量。
12.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统,其特征在于,各基板面对加热元件的一面覆盖一导热层。
13.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统,其特征在于,该导热层的一第一导热率至少为各基板的一第二导热率的三倍。
14.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7、9、12或13所述的薄膜沉积系统,其特征在于,该加热元件包含多个第一加热电阻及多个第二加热电阻,各第一加热电阻沿着该承盘轴的第二径向设置,各第二加热电阻电性连接该多个第一加热电阻中的至少两个加热电阻。
15.根据权利要求14所述的薄膜沉积系统,其特征在于,该多个第一加热电阻相对于该承盘轴呈对称设置。
16.根据权利要求14所述的薄膜沉积系统,其特征在于,该多个第一加热电阻沿着该第二径向的第一尺寸等于或大于该基板座沿着该第二径向的第二尺寸。
17.根据权利要求14所述的薄膜沉积系统,其特征在于,该多个第一加热电阻的第二径向与该第一径向相同。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的