[发明专利]垂直晶体管制造方法和垂直晶体管无效

申请号：	201210004621.8	申请日：	2012-01-04
公开（公告）号：	CN102593002A	公开（公告）日：	2012-07-18
发明（设计）人：	金明豪;戴维·威廉·卡尔顿;尼克·克肖;克里斯·罗杰斯	申请（专利权）人：	NXP股份有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司 11021	代理人：	王波波
地址：	荷兰艾***	国省代码：	荷兰;NL
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摘要：	本发明公开了一种制造垂直晶体管的方法。所述方法包括：提供包括垂直区域叠层的衬底(100)，所述垂直区域叠层包括通过沟道区(104)与漏极区(102)分离的源极区(106)；在所述衬底中形成沟槽(110)，所述沟槽至少部分地延伸到所述垂直区域叠层中；将所述叠层内衬于所述沟槽，所述叠层包括栅极电介质衬里(112)、刻蚀保护层(114)和另一绝缘层(116)；用屏蔽电极材料(118)填充沟槽的其余部分；通过在所述沟槽中将所述另一绝缘层(116)去除到第一深度来暴露出屏蔽电极材料的顶部部分；在暴露出的屏蔽电极材料上形成电极间电介质(122)；从所述沟槽去除刻蚀保护层(114)至第一深度；以及在电极间电介质衬里(122)和栅极电介质衬里(112)的暴露部分之间的所述沟槽中形成栅电极(124)。还公开了一种根据这种方法制造的垂直晶体管。
搜索关键词：	垂直晶体管制造方法
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【主权项】：

一种制造垂直晶体管的方法，所述垂直晶体管包括具有垂直区域叠层的衬底(100)，所述垂直区域叠层包括通过沟道区(104)与漏极区(102)分离的源极区(106)，所述方法包括：在所述衬底中形成沟槽(110)，所述沟槽至少部分地延伸到所述垂直区域叠层中；将叠层内衬于所述沟槽，所述叠层包括栅极电介质(112)、刻蚀保护层(114)和另一绝缘层(116)；用屏蔽电极材料(118)填充沟槽的其余部分；通过在所述沟槽中将所述另一绝缘层(116)去除到第一深度来暴露出屏蔽电极材料的顶部部分；在暴露出的屏蔽电极材料上形成电极间电介质(122)；从所述沟槽去除刻蚀保护层(114)至第一深度；以及在电极间电介质(122)和栅极电介质(112)的暴露部分之间的所述沟槽中形成栅电极(124)。

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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