[发明专利]一种实现金属-锗接触中锗衬底表面费米能级解钉扎的方法无效
| 申请号： | 201210004176.5 | 申请日： | 2012-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN102543755A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 蒋玉龙;于浩;谢琦;茹国平;屈新萍;李炳宗;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体为一种实现金属-锗接触中锗衬底表面费米能级解钉扎的方法。锗器件因其高载流子迁移率、可实现低等效氧化层厚度以及与现有工艺的高兼容性等优点，成为目前注目的焦点，但锗严重的表面费米能级钉扎效应却是制约着制备高性能锗基N型MOS器件的问题之一。本发明通过NH3等离子处理锗衬底的方法，在表面形成GeOxNy(x=0.92,y=0.08)介质层，成功实现解钉扎效应，且由于GeON与Ge较小的能量偏移，使得制备的金属/GeON/Ge样品具有较低的接触电阻，因而具有良好的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 金属 接触 衬底 表面 费米 能级 解钉扎 方法 | ||
【主权项】：
一种实现金属‑锗接触中锗衬底表面费米能级解钉扎的方法，其特征在于是在金属‑锗接触中的锗衬底表面，通过NH3等离子体处理的方法形成一层厚度为小于1nm的GeOxNy层，x=0.92,y=0.08，在修复锗衬底表面界面态的同时抑制电极金属功函数尾部向锗衬底的渗透。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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